[发明专利]压电薄膜谐振器、滤波器和双工器

权利要求书

1.一种压电薄膜谐振器，该压电薄膜谐振器包括：

基板；

位于所述基板上的压电膜；

隔着该压电膜的至少一部分彼此相对的下电极和上电极；

插入膜，该插入膜插入进所述压电膜，位于所述下电极和所述上电极隔着所述压电膜彼此相对的谐振区域内的外周区域中，并且不位于所述谐振区域的中心区域中，所述外周区域包括所述谐振区域的外周并且沿着该外周，

其中，所述压电膜主要由氮化铝组成，并且

所述插入膜由Al或氧化硅制成，

其中，在所述谐振区域中，在所述基板和与所述下电极接触的绝缘膜之间或者在所述基板和所述下电极之间，形成有空气隙，并且所述空气隙位于所述谐振区域中，

或者，在所述谐振区域中的所述下电极的下方形成有声反射膜，所述声反射膜反射在所述压电膜中传播的声波，并且所述声反射膜位于所述谐振区域中，

其中，0.03≤T1/T2≤0.2，

其中，T1表示所述插入膜的膜厚度；T2表示在所述中心区域中的多层膜的膜厚度，其中，所述中心区域中的所述多层膜包括所述下电极、所述压电膜、所述上电极和频率调节膜，

在所述插入膜的所述谐振区域中的所述插入膜的宽度是所述压电薄膜谐振器的处于厚度延伸模式的声波的波长的2.5倍以下并且是波长的0.3倍以上。

2.根据权利要求1所述的压电薄膜谐振器，其中，

所述插入膜位于从所述外周区域起至所述谐振区域的外部的范围。

3.根据权利要求1或2所述的压电薄膜谐振器，其中，

所述插入膜的杨氏模量小于所述压电膜的杨氏模量。

4.根据权利要求1或2所述的压电薄膜谐振器，其中，

0.03≤T1/T2≤0.15。

5.根据权利要求1或2所述的压电薄膜谐振器，其中，

在所述插入膜的所述谐振区域中的所述插入膜的宽度是所述压电薄膜谐振器的处于厚度延伸模式的声波的波长的1.5倍以下。

6.根据权利要求1或2所述的压电薄膜谐振器，其中，

所述插入膜的侧表面是楔状的，使得所述插入膜的上表面小于所述插入膜的下表面。

7.根据权利要求6所述的压电薄膜谐振器，其中，

所述插入膜的所述下表面与所述插入膜的所述侧表面之间的角度小于等于60°。

8.一种滤波器，该滤波器包括根据权利要求1或2所述的压电薄膜谐振器。

9.一种双工器，所述双工器包括：

发送滤波器；以及

接收滤波器，其中，

所述发送滤波器和所述接收滤波器中的至少一方是根据权利要求8所述的滤波器。