[发明专利]压电薄膜谐振器、滤波器和双工器有效
申请号: | 201410042168.9 | 申请日: | 2014-01-28 |
公开(公告)号: | CN103973258B | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 西原时弘;坂下武 | 申请(专利权)人: | 太阳诱电株式会社 |
主分类号: | H03H9/15 | 分类号: | H03H9/15;H03H9/46;H03H3/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压电 薄膜 谐振器 滤波器 双工器 | ||
压电薄膜谐振器、滤波器和双工器。一种压电薄膜谐振器包括:基板;位于所述基板上的压电膜;隔着所述压电膜的至少一部分彼此相对的下电极和上电极;插入膜,其插入进所述压电膜,并且位于所述下电极和所述上电极隔着所述压电膜彼此相对的谐振区域内的外周区域的至少一部分中,并且不位于所述谐振区域的中心区域中。
技术领域
本发明的某些方面涉及压电薄膜谐振器、滤波器和双工器。
背景技术
利用压电薄膜谐振器的声波元件已经用作诸如移动电话这样的无线装置的滤波器和双工器。压电薄膜谐振器构造为具有隔着压电薄膜彼此相对的下电极和上电极。
无线系统的快速扩展导致很多频带的使用。这需要滤波器或双工器边缘特性(skirt characteristics)陡峭。增加压电薄膜谐振器的Q值是使边缘特性陡峭的措施之一。压电薄膜谐振器的Q值劣化的原因之一是声波能量从谐振区域域向外部的泄漏。
日本特开2006-109472号公报(专利文献1)公开了利用向下电极或上电极的表面提供环形带来改善Q值。
但是,专利文献1中公开的结构不能充分减小从谐振区域向外部泄漏的声波能量。因此,对Q值的改善是不充分的。
发明内容
根据本发明的一个方面,提供一种压电薄膜谐振器,该压电薄膜谐振器包括:基板;位于该基板上的压电膜;隔着该压电膜的至少一部分彼此相对的下电极和上电极;插入膜,该插入膜插入进该压电膜,并且位于其中该下电极和该上电极隔着该压电膜彼此相对的谐振区域中的外周区域的至少一部分中,并且不位于该谐振区域的中心区域中。
根据本发明的一个方面,提供一种滤波器,该滤波器包括以上描述的压电薄膜谐振器。
根据本发明的另一个方面,提供一种双工器,该双工器包括:发送滤波器;以及接收滤波器,其中,该发送滤波器和该接收滤波器中的至少一方是以上所描述的滤波器。
附图说明
图1的(a)是根据第一实施方式的压电薄膜谐振器的平面图,图1的(b)是插入膜的平面图,图1的(c)和图1的(d)是沿着图1的(a)中的线A-A的截面图;
图2的(a)至图2的(c)是例示根据本发明第一实施方式的制造串联谐振器的方法的截面图;
图3的(a)是例示关于杨氏模量的在反谐振点的Q值,图3的(b)是例示关于杨氏模量的有效机电耦合系数K2eff的图;
图4是例示关于T1/T2的FOM的图;
图5是例示关于T1/T2的FOM的图;
图6是例示关于插入膜的归一化的宽度的FOM的图;
图7的(a)和图7的(b)是谐振区域的边缘部分周围的放大示意图;
图8的(a)是根据第二实施方式的压电薄膜谐振器的平面图,图8的(b)是插入膜的平面图,图8的(c)和图8的(d)是沿着图8的(a)的线AA的截面图;
图9的(a)是根据第三实施方式的压电薄膜的平面图,图9的(b)是插入膜的平面图,图9的(c)是沿着图9的(a)的线A-A的截面图;
图10的(a)是根据第四实施方式的压电薄膜谐振器的平面图,图10的(b)是插入膜和附加膜的平面图,图10的(c)和10的(d)是沿着图10的(a)的线A-A 的截面图;
图11的(a)是根据第五实施方式的压电薄膜谐振器的平面图,图11的(b)是插入膜和孔隙的平面图,图11的(c)和图11的(d)是沿着图11的(a)的线A-A 的截面图;
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