[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件具有形成有功率MOSFET的有源部和形成于所述有源部周围的外周部，其特征在于，

具有：

第1导电类型的衬底；以及

第2导电类型的外延层，形成于所述衬底上，所述第2导电类型与所述第1导电类型不同；

其中，所述有源部具有：

多个第1槽，形成于所述外延层且离所述外延层的上表面具有第1深度，所述多个第1槽在平面图中在第1方向上延伸且在第2方向上相互间以第1间隔隔开，其中，所述第2方向在平面图中与所述第1方向正交；

第1绝缘膜，填埋于所述第1槽的内部；

所述第1导电类型的第1扩散区域，形成于相邻的所述第1槽之间的所述外延层，且在所述第2方向上具有比所述第1间隔小的第1宽度；

所述第2导电类型的第2扩散区域，形成于所述第1槽的侧壁和所述第1扩散区域之间的所述外延层，且在所述第2方向上具有第2宽度；

第3槽，形成于相邻的所述第1槽之间的所述外延层，且离所述外延层的上表面具有第3深度；

栅极电极，隔着栅极绝缘膜地形成于所述第3槽的内部；

所述第1导电类型的源极区域，形成于所述栅极电极的两侧的所述外延层，且离所述外延层的上表面具有比所述第3深度浅的第4深度；

所述第2导电类型的沟道区域，以围住所述源极区域的方式形成于所述栅极电极的两侧的所述外延层，且与所述第2扩散区域连接；以及

源极电极，与所述源极区域及所述沟道区域电连接，

其中，填埋于所述第1槽的内部的所述第1绝缘膜的上表面位于比所述源极区域与所述沟道区域的界面更深的位置，

所述源极电极在所述第1槽的侧壁与所述源极区域及所述沟道区域连接。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

还具有：

保护环布线，以在平面图中包围所述有源部的方式形成在所述外周部的所述外延层上，

其中，所述保护环布线经由形成于所述外周部的所述外延层的第3扩散区域而与所述衬底电连接。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

还具有：

第2槽，形成于所述保护环布线下方的所述外延层，且离所述外延层的上表面具有第2深度；以及

第2绝缘膜，填埋于所述第2槽的内部，

其中，靠近所述第2槽的半导体芯片的角部的部分在平面图中具有第1曲率半径。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第1槽的底部位于所述衬底内部。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第2扩散区域的离所述外延层的上表面的深度比所述第1槽的所述第1深度浅。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

还具有：

形成于相邻的所述第1槽之间且在平面图中在所述第1方向上延伸的栅极电极。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

还具有：

在平面图中在所述第2方向上延伸的栅极电极。

8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在填埋于所述第1槽的内部的所述第1绝缘膜中形成有空孔。