[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201410043235.9 | 申请日： | 2014-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN103972206B | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 上村启介;小山内润 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于包括：
半导体基板；
所述半导体基板上的氧化膜；
包围所述氧化膜，并设置在所述半导体基板表面的外围杂质扩散层；
在所述氧化膜的上方通过层间绝缘膜而设置的、与所述氧化膜相比更小且与所述外围杂质扩散层相比更小的焊垫；
连接所述焊垫和内部电路的金属布线；
在所述焊垫周围、所述外围杂质扩散层之上从所述焊垫隔开而配置的外围布线；以及
沿所述外围布线的一周而配置，将所述外围布线和所述外围杂质扩散层电连接，将所述层间绝缘膜分割为内外的接触件，
所述接触件以与内部电路中使用的钨塞同直径的邻接的塞彼此在其侧面相接、并且无缝包围所述焊垫的方式而连续配置，
所述金属布线与所述外围布线交叉，所述焊垫与所述外围杂质扩散层电连接，所述焊垫与所述外围布线等电位。
2.一种半导体装置，其特征在于包括：
半导体基板；
所述半导体基板上的氧化膜；
包围所述氧化膜，并设置在所述半导体基板表面的外围杂质扩散层；
在所述氧化膜的上方通过层间绝缘膜而设置的、与所述氧化膜相比更小且与所述外围杂质扩散层相比更小的焊垫；
连接所述焊垫和内部电路的金属布线；
在所述焊垫周围、所述外围杂质扩散层之上从所述焊垫隔开而配置的外围布线；以及
沿所述外围布线的一周而配置，将所述外围布线和所述外围杂质扩散层电连接，将所述层间绝缘膜分割为内外的接触件，
所述接触件是在比内部电路中使用的钨塞的直径宽度更加窄的连续的外围槽中填充钨，
所述金属布线与所述外围布线交叉，所述焊垫与所述外围杂质扩散层电连接，所述焊垫与所述外围布线等电位。
3.一种半导体装置，其特征在于包括：
半导体基板；
所述半导体基板上的氧化膜；
包围所述氧化膜，并设置在所述半导体基板表面的外围杂质扩散层；
在所述氧化膜的上方通过层间绝缘膜而设置的、与所述氧化膜相比更小且与所述外围杂质扩散层相比更小的焊垫；
连接所述焊垫和内部电路的金属布线；
在所述焊垫周围一周、所述外围杂质扩散层之上从所述焊垫隔开而配置的外围布线；以及
沿所述外围布线的一周而配置，将所述外围布线和所述外围杂质扩散层电连接，将所述层间绝缘膜分割为内外的接触件。
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