[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供防止向内部电路的水分浸入的半导体装置。该半导体装置包括在焊垫下层形成的衬底多晶硅膜（10），衬底多晶硅膜（10）上方通过层间绝缘膜（21）而设置的焊垫（1），以包围焊垫（1）的外侧的方式配置的外围布线（3），其中外围布线（3）与衬底多晶硅膜（10）通过连续的外围接触件来连接，由此阻断从焊垫通向内部电路的水分。

技术领域

本发明涉及半导体装置，尤其涉及具有焊垫的半导体装置。

背景技术

半导体装置为了保证长期可靠性，必须通过各种可靠性应力测试。例如，一般进行在85^oC、85%的条件下进行的高温高湿偏压测试、在125^oC、85%、2个大气压的条件下进行的压力锅偏压测试等将高温高湿以及偏压组合的测试。这些测试鉴于在市场中的使用环境由JEDEC标准等来决定，是为了使在市场中不发生问题而考虑出的测试。这些测试是用于保证在市场中的长期可靠性的基本指标，为了不让市场中的不良状况发生，这些测试也是需要的。

在这些高温高湿测试中，存在通过封装树脂的水分从垫等的开口部分向芯片内部浸入，通过引起电化学的反应而引起布线的氧化，由于体积膨胀或界面剥离而发生可靠性问题的情况。为了防止这些，通过在焊垫的周围部位中将垫上的氮化钛膜去除为环状或者槽状的部分来防止水分的浸入的发明已被公开。（例如，参考专利文献1）

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-251537号公报。

发明内容

发明要解决的问题

要解决的问题，如下所示：

如上所述，在高温高湿测试中，存在通过封装树脂的水分从垫等的开口部分向芯片内部浸入，通过引起电化学的反应而引起布线的氧化，由于体积膨胀或界面剥离而发生可靠性问题的情况。作为这些问题的对策，考虑了通过封装树脂的创意、垫结构的创意来防止水分向芯片浸入的对策。但是，这些对策有并不完善的情况。虽然水分不通过氮化膜、铝布线等，但是水分传入氧化膜中和氧化膜与铝布线膜的界面等而向芯片内部浸入。作为这种现象的对策需求通过某些手段来阻断这些进入途径。

解决问题的方案

本发明的半导体装置鉴于上述问题，采用以下方案：

首先，提供一种包括焊垫的半导体装置，其特征在于，包括：半导体基板上的氧化膜；所述氧化膜上的导电性非透水膜；在所述导电性非透水膜上方通过层间绝缘膜而设置的焊垫；连接所述焊垫和内部电路的金属布线；在所述焊垫周围隔开而配置的外围布线；以及沿所述外围布线配置的，电连接所述外围布线和所述导电性非透水膜的接触件。

另外，所述半导体装置的特征在于：所述金属布线与所述外围布线交叉，所述焊垫与所述导电性非透水膜电连接，所述焊垫与所述外围布线等电位。

另外，所述半导体装置的特征在于：所述外围布线在平面视图中为C字型形状，所述金属布线通过所述C字型的缝隙连接到内部电路，所述焊垫和所述外围布线不等电位。

另外，所述半导体装置的特征在于：所述导电性非透水膜是多晶硅膜或者金属膜。

另外，所述半导体装置的特征在于：所述接触件由与内部电路中使用的钨塞同直径的部件连续连接而配置。

进一步，提供一种包括焊垫的半导体装置，其特征在于，包括：

半导体基板上的氧化膜；包围所述氧化膜，并设置在所述半导体基板表面的外围杂质扩散层；在所述氧化膜和所述外围杂质扩散层上方通过层间绝缘膜而设置的焊垫；连接所述焊垫和内部电路的金属布线；在所述焊垫周围隔开而配置的外围布线；以及沿所述外围布线配置的，电连接所述外围布线和所述外围杂质扩散层的接触件。