[发明专利]集成电路、半导体器件和制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种包含半导体器件的集成电路，包括：

功率部件，其包括在单元阵列中的多个沟槽，所述多个沟槽在第一方向上延伸；

传感器部件，其被集成到功率部件的单元阵列中并且包括传感器单元，所述传感器单元具有小于功率部件的单元阵列的面积的面积；和

在与第一方向不同的第二方向上延伸的隔离沟槽，绝缘材料被设置在所述隔离沟槽中，在传感器部件和功率部件之间沿着第一方向设置所述隔离沟槽。

2.根据权利要求1的集成电路，其中所述功率部件包括功率晶体管，所述功率晶体管包括源极区域、漏极区域、体区和栅极电极，所述栅极电极与所述体区相邻，并且

所述传感器单元包括传感器晶体管，所述传感器晶体管包括源极区域、漏极区域、体区和栅极电极，所述功率晶体管的体区和源极区域通过隔离沟槽与传感器晶体管的体区和源极区域在横向上绝缘。

3.根据权利要求2的集成电路，其中传感器晶体管和功率晶体管的源极区域被设置成与半导体衬底的第一主表面相邻，并且隔离沟槽被设置成与所述第一主表面相邻。

4.根据权利要求2的集成电路，其中功率晶体管的栅极电极和传感器晶体管的栅极电极被设置在所述多个沟槽中的一个中并且被互相连接以形成公共栅极电极。

5.根据权利要求2的集成电路，其中所述多个沟槽沿相同的方向互相平行地延伸并且在相邻的沟槽之间的区域限定台面区域，多个台面区域沿所述多个沟槽的方向互相平行地延伸，所述功率晶体管和所述传感器晶体管中的每个的源极区域和体区被设置在所述台面区域中。

6.根据权利要求5的集成电路，其中所述隔离沟槽与所述台面区域中的至少一个相交。

7.根据权利要求6的集成电路，其中所述隔离沟槽延伸到在所述体区的下侧之下的深度。

8.根据权利要求2的集成电路，其中两个隔离沟槽与所述传感器晶体管的一个源极部分相邻。

9.根据权利要求8的集成电路，其中所述传感器晶体管的宽度被配置为通过设置相邻的隔离沟槽之间的距离来被调整。

10.根据权利要求2的集成电路，其中功率晶体管的漏极区域和传感器晶体管的漏极区域被连接到漏极电势，并且功率晶体管的栅极电极和传感器晶体管的栅极电极被连接到栅极电势。

11.根据权利要求4的集成电路，进一步包括被设置在隔离沟槽中并且与所述公共栅极电极连接的导电材料。

12.根据权利要求1的集成电路，其中所述集成电路被配置成作为功率开关来操作。

13.根据权利要求1的集成电路，进一步包括在所述隔离沟槽和所述功率部件之间设置的另外的元件，其中所述另外的元件包括p掺杂区域，并且所述p掺杂区域与所述功率部件的漏极电压连接。

14.根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括在所述隔离沟槽和所述功率部件之间设置的另外的元件，其中所述另外的元件包括n掺杂区域，并且所述n掺杂区域与所述功率部件的源极电势连接。

15.根据权利要求13或14的集成电路，进一步包括在所述另外的元件和功率部件之间设置的另外的隔离沟槽。

16.一种包含晶体管阵列的半导体器件，包括多个第一晶体管和至少一个第二晶体管，至少一个第一和一个第二晶体管被设置成互相相邻，第一和第二晶体管中的每个包括：

被设置成与半导体衬底的第一主表面相邻的源极区域；和

在所述第一主表面中形成的沟槽中设置的栅极电极，第一晶体管的栅极电极和第二晶体管的栅极电极被连接到公共栅极电势；

所述半导体器件进一步包括在第一晶体管的源极区域和第二晶体管的源极区域之间沿着第一方向设置的隔离沟槽，第一晶体管的源极区域被连接到第一源极电势，第二晶体管的源极区域被连接到第二源极电势，第一源极电势与第二源极电势是不同的。

17.根据权利要求16的半导体器件，其中漏极区域被设置成与半导体衬底的第二主表面相邻，所述第二主表面与所述第一主表面相对，第一晶体管的漏极区域和第二晶体管的漏极区域被连接到公共漏极电势。