[发明专利]集成电路、半导体器件和制造半导体器件的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种集成电路、半导体器件和制造半导体器件的方法。

背景技术

通常使用包括传感器晶体管的MOS功率器件，例如MOS功率开关。例如，传感器晶体管可以被用作与功率器件集成的电流传感器。电流传感器可以被用于测量功率晶体管的负载电流。例如，在短路的情况下，电流传感器可以感测高电流并且可以断开功率晶体管，以便避免对功率晶体管的负面影响。因此，可以实施自保护功率器件。

试图进一步改善这种器件的特性。

发明内容

根据实施例，一种包含半导体器件的集成电路包括功率部件和传感器部件，所述功率部件包括单元阵列中的多个沟槽，该多个沟槽在第一方向上延伸，该传感器部件被集成到功率部件的单元阵列中并且包括传感器单元，该传感器单元具有小于功率部件的单元阵列的面积的面积。该集成电路进一步包括在传感器部件和功率部件之间设置的隔离沟槽，绝缘材料被设置在隔离沟槽中，隔离沟槽在与第一方向不同的第二方向上延伸。

根据实施例，一种半导体器件包括包含多个第一晶体管和至少一个第二晶体管的晶体管阵列，至少一个第一和一个第二晶体管被设置成互相相邻。第一和第二晶体管中的每个包括被设置成与半导体衬底的第一主表面相邻的源极区域，和在第一主表面中形成的沟槽中设置的栅极电极，第一晶体管的栅极电极和第二晶体管的栅极电极被连接到公共栅极电势。该半导体器件进一步包括在第一晶体管的源极区域和第二晶体管的源极区域之间设置的隔离沟槽，第一晶体管的源极区域被连接到第一源极电势，第二晶体管的源极区域被连接到第二源极电势，第一源极电势与第二源极电势是不同的。

根据实施例，一种制造半导体器件的方法包括：在半导体衬底的第一主表面中形成多个平行栅极沟槽，在相邻的栅极沟槽之间的限定台面的衬底部分，所述栅极沟槽在第一方向上延伸；在台面中形成第一和第二晶体管；在第一晶体管中的一个和第二晶体管中的一个之间形成隔离沟槽，该隔离沟槽在与第一方向不同的第二方向上延伸；并且在隔离沟槽中形成至少一个绝缘材料。

在阅读下面的详细描述时，并且在浏览附图时，本领域技术人员将认识到另外的特征和优点。

附图说明

附图被包括用以提供对本发明的实施例的进一步理解并且被并入和构成该说明书的一部分。这些图示出本发明的实施例并且与描述一起用来解释原理。将容易领会本发明的其它实施例和其中多个预期优点，因为通过参考以下详细描述它们变得更好理解。这些图的元件不一定相对于彼此按比例。相似的参考数字表示相应的相似部分。

图1示意性地示出包括功率部件和传感器部件的集成电路的实施例的平面图；

图2A示出沿着与多个栅极电极沟槽相交的方向的图1中示出的器件的截面图；

图2B示出沿着台面的方向的图1中示出的集成电路的截面图；

图3A示出集成电路的一部分的平面图；

图3B示出在图3A中标明的III和III'之间的截面图；

图3C示出在图3A中标明的IV和IV'之间的集成电路的一部分的截面图；

图4示出根据另外的实施例的集成电路的一部分的平面图；

图5A示出根据另外的实施例的集成电路的一部分的平面图；

图5B示出图5A中示出的集成电路的一部分的截面图的示例；

图6A和6B示出根据实施例的集成电路的示意电路图；

图7A至7F示意性地示出用于制造集成电路的方法；和

图8示意性地示出用于制造集成电路的方法。

具体实施方式

在下面的详细描述中，参考附图，这些附图构成了该详细描述的一部分，在这些图中借助图示示出了可以实施本发明的特定实施例。在这方面，方向性的术语，例如：“顶部”、“底部”、“前”、“后”、“前面”、“后面”等等，是参考所描述的图的取向来使用的。由于本发明的实施例的部件可被定位在许多不同的取向上，因此方向性的术语仅用于说明的目的，并且决不是限制性的。应当理解可以利用其它实施例，并且可以在不脱离由权利要求限定的范围的情况下做出结构或逻辑改变。因此，下面的详细描述不是以限制性意义进行的，并且本发明的范围由所附权利要求限定。