[发明专利]发光二极管封装模组

说明书

技术领域

本发明是关于一种发光二极管封装模组，特别是指一种适用于垂直式发光二极管晶粒(vertical LED die)的发光二极管封装模组。

背景技术

参阅图1，为一现有的发光二极管封装结构9，该发光二极管封装结构9包含一电路板91、一垂直式发光二极管晶粒92、至少一条打线93及一封装胶体94。

电路板91包括一绝缘的板体911(例如为陶瓷基板)、一穿设于板体911中的正极内联线912、一设置于板体911底面并连接于正极内联线912的正极导线913、一穿设于板体911中的负极内联线914及一设置于板体911底面并连接于负极内联线914的负极导线915。

垂直式发光二极管晶粒92设置于电路板91上，其由下而上分别包括一正电极921、一基板922、一半导体发光层923及一负电极924。垂直式发光二极管晶粒92通过导电胶、焊锡等媒介设置于正极内联线912上，使其正电极921与下方的正极内联线912、正极导线913形成电性导通；而位于其顶面的负电极924则是通过打线93，与负极内联线914、负极导线915形成电性导通。

此种现有的发光二极管封装结构9虽然可以运用于各式照明，但仍存在部分不足之处。首先，当垂直式发光二极管晶粒92的基板922采用光反射性较差的材质制作(如硅基板)时，半导体发光层923发出的光线经由板体911、负极内联线914、封装胶体94等结构反射而照射于基板922(光线L1)后，基板922的低反射性会造成反射光线L2的光强度衰减，而影响发光二极管封装结构9的整体亮度。

此外，对例如为陶瓷材质的绝缘的板体911来说，其光反射性不佳，因此经其反射的光线L1的光强度会有所衰减，而影响发光二极管封装结构9的亮度。而且，陶瓷材料的热传导性不佳，将垂直式发光二极管晶粒92设置其上会影响垂直式发光二极管晶粒92的散热效果，使垂直式发光二极管晶粒92容易因为热积聚而导致光衰。

再者，该种发光二极管封装结构9是通过电路板91上的正、负极线路导接于垂直式发光二极管晶粒92的正电极921与负电极924，因此必须在电路板91上配置特定的正、负极线路，此结构配置会导致电路板91的结构与制程步骤复杂化，而不利于生产制造及后续应用。

而另一方面，该现有封装结构是将垂直式发光二极管晶粒92直接设置于电路板91的表面，因此发光二极管封装结构9的厚度为电路板91、垂直式发光二极管晶粒92及封装胶体94这三者叠加，此配置方式不利于发光二极管封装结构9的薄型化发展。此外，由于电路板91上必须配置较复杂的正、负电极线路，可能导致其面积的增加，而不利于发光二极管封装结构9的微型化设计。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可增进发光亮度、散热效果，并达成尺寸微型化及结构简化的发光二极管封装模组。

本发明发光二极管封装模组，包含至少一个发光二极管单元，该发光二极管单元包括一封装基座、一发光二极管晶粒、一绝缘胶体及至少一条导线。封装基座，具有：一导电基板，具有相反的一顶面及一底面，并形成一贯穿其顶面与底面的通孔；一绝缘层，具电绝缘性，并覆盖该导电基板的部分底面；一导电层，至少覆盖该导电基板未设置该绝缘层的部分底面。发光二极管晶粒，部分地设置于该导电基板的通孔中，且具有：一下电极，具有导电性；一晶粒基板，具有导电性及低反光性，其设置于该下电极之上，并容纳于该导电基板的通孔中；一半导体发光结构，设置于该晶粒基板之上，并显露于该导电基板的顶面之外，于接收电力后发出光线；及一上电极，设置于该半导体发光结构之上，且具有导电性。绝缘胶体设置于该导电基板的通孔中，并至少将该发光二极管晶粒的晶粒基板围绕于内。导线的两端分别连接于该发光二极管晶粒的上电极及该导电基板。

较佳地，该发光二极管晶粒的下电极显露于该导电基板的底面之外。

较佳地，该导电层还覆盖至该导电基板的外侧面。

在一实施态样中，该发光二极管单元还包括一晶粒承载基座，该晶粒承载基座具有一导电的承载基材，该承载基材具有相反的一顶面及一底面，其顶面凹陷形成一凹槽，该凹槽供该发光二极管晶粒设置其中，使该发光二极管晶粒的晶粒基板不显露于该承载基材的顶面之外；该承载基材是部分地设置于该导电基板的通孔中，其设置于该通孔中的部分被该绝缘胶体包覆，且其底面显露于该导电基板的底面以外。