[发明专利]功率晶体管装置和用于制造功率晶体管装置的方法有效
| 申请号： | 201410045302.0 | 申请日： | 2014-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN103972193B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | R·奥特雷姆巴;J·赫格劳尔;J·施雷德尔;X·施勒格尔;K·希斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60;H01L21/58;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,张臻贤 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 晶体管 装置 用于 制造 方法 | ||
1.一种功率晶体管装置，包括：
载体；
第一功率晶体管，具有控制电极和第一功率电极和第二功率电极；
第二功率晶体管，具有控制电极和第一功率电极和第二功率电极；
其中所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管彼此紧邻地布置在所述载体上，使得所述第一功率晶体管的所述控制电极和所述第二功率晶体管的所述控制电极面向所述载体。
2.根据权利要求1所述的功率晶体管装置，
其中所述第一功率晶体管的所述第一功率电极和所述第二功率晶体管的所述第一功率电极背对所述载体；并且
其中所述第一功率晶体管的所述第一功率电极和所述第二功率晶体管的所述第一功率电极彼此电耦合。
3.根据权利要求2所述的功率晶体管装置，
其中所述第一功率晶体管的所述第一功率电极和所述第二功率晶体管的所述第一功率电极利用导电耦合结构彼此电耦合。
4.根据权利要求3所述的功率晶体管装置，
其中所述耦合结构包括金属和金属合金中的至少一个。
5.根据权利要求3所述的功率晶体管装置，
其中所述耦合结构包括选自由以下各项组成的结构的组中的至少一个结构：
线夹；
条带；
导线；
板；以及
导体轨道。
6.根据权利要求3所述的功率晶体管装置，
其中所述耦合结构具有1K/W或更小的热电阻。
7.根据权利要求2所述的功率晶体管装置，
其中所述第一功率晶体管的所述第一功率电极是所述第一功率晶体管的源极电极和发射极电极之一；
其中所述第二功率晶体管的所述第一功率电极是所述第二功率晶体管的漏极电极和集电极电极之一。
8.根据权利要求2所述的功率晶体管装置，
其中所述第一功率晶体管的所述第一功率电极是所述第一功率晶体管的源极电极和发射极电极之一；
其中所述第二功率晶体管的所述第一功率电极是所述第二功率晶体管的源极电极和发射极电极之一。
9.根据权利要求2所述的功率晶体管装置，
其中所述第一功率晶体管的所述第一功率电极是所述第一功率晶体管的漏极电极和集电极电极之一；
其中所述第二功率晶体管的所述第一功率电极是所述第二功率晶体管的漏极电极和集电极电极之一。
10.根据权利要求1所述的功率晶体管装置，
其中所述第一功率晶体管是高电子迁移率晶体管。
11.根据权利要求10所述的功率晶体管装置，
其中所述高电子迁移率晶体管是氮化镓高电子迁移率晶体管、碳化硅高电子迁移率晶体管、以及高压硅高电子迁移率晶体管之一。
12.根据权利要求1所述的功率晶体管装置，
其中所述第二功率晶体管是低压金属氧化物半导体场效应晶体管。
13.根据权利要求1所述的功率晶体管装置，
其中所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管是相同晶体管类型的晶体管。
14.根据权利要求13所述的功率晶体管装置，
其中所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管是场效应晶体管和绝缘栅双极晶体管之一。
15.根据权利要求1所述的功率晶体管装置，
其中所述第一功率晶体管和所述第二功率晶体管是相同的电压等级。
16.根据权利要求3所述的功率晶体管装置，
其中所述导电耦合结构与任何功率晶体管装置外部端子电隔离。
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