[发明专利]功率晶体管装置和用于制造功率晶体管装置的方法

说明书

技术领域

各种实施例总体上涉及功率晶体管装置和用于制造功率晶体管装置的方法。

背景技术

可以将功率半导体芯片集成到用于各种电路装置的电子封装中。例如，级联电路或半桥电路可以由分立元件或封装、或者利用芯片上芯片（chip-on-chip）的结构来实施，其中可能使用扩散焊接。

分立元件或封装可以导致显著封装感应性，并且因此导致开关损耗。而芯片上芯片结构可能会导致相对于顶部的芯片（例如，硅场效应晶体管芯片）的热限制。

发明内容

各种实施例提供一种功率晶体管装置。功率晶体管装置可以包括载体；第一功率晶体管，具有控制电极和第一功率电极和第二功率电极；以及第二功率晶体管，具有控制电极和第一功率电极和第二功率电极。第一功率晶体管和第二功率晶体管可以彼此紧邻地布置在载体上，使得第一功率晶体管的控制电极和第二功率晶体管的控制电极面向载体。

附图说明

在附图中，同样的参考符号贯穿不同的示图通常指代相同的部分。此外，附图不一定按比例，而是通常将重点置于图示本发明的原理。在下面的描述中，参考以下附图描述了本发明的各种实施例，附图中：

图1示出了根据各种实施例的功率晶体管装置；

图2示出了根据各种实施例的功率晶体管装置；

图3示出了根据各种实施例的功率晶体管装置；

图4示出了根据各种实施例的级联电路；

图5A-5H示出了根据各种实施例制造功率晶体管装置的过程；以及

图6示出了图示用于根据各种实施例制造功率晶体管装置的方法的流程图。

具体实施方式

以下详细描述参考通过图示示出本发明可以在其中实施的具体细节和实施例的附图涉及以说明方式示出可以实施本发明的具体细节和实施例的附图。

词语“示例性的”在本文中用于意指“用作示例、实例或图示”。本文中描述为“示例性的”任何实施例或设计并不一定要被解释为优于或有利于其它实施例或设计。

关于“在”侧面或表面“之上”形成的沉积的材料所使用的词语“在……之上”在本文中可以被用于意指沉积的材料可以“直接”形成“在”隐含的侧面或表面“上”（例如，直接与之接触）。关于“在”侧面或表面“之上”形成的沉积的材料所使用的词语“在……之上”在本文中可以被用于意指沉积的材料可以通过被布置在隐含的侧面或表面与沉积的材料之间的一个或多个附加层来“间接”形成“在”隐含的侧面或表面“上”。

各种实施例提供用于功率应用的低电感性封装。

图1至图3示出了根据各种实施例的功率晶体管装置100。

图1示出了功率晶体管装置100的顶视图，并且图2示出了功率晶体管装置100的背面。

功率晶体管装置100可以包括载体102、第一功率晶体管104和第二功率晶体管106。如在图1和图2中所示，第一功率晶体管104可以包括控制电极112、第一功率电极114和第二功率电极116；并且第二功率晶体管106可以包括控制电极122、第一功率电极124和第二功率电极126。第一功率晶体管104和第二功率晶体管106可以被彼此紧邻地布置在载体102上，使得第一功率晶体管104的控制电极112和第二功率晶体管106的控制电极122面向载体102。

在各种实施例中，第一功率晶体管104的第一功率电极114和第二功率晶体管106的第一功率电极124可以背对载体102。第一功率晶体管104的第一功率电极114和第二功率晶体管106的第一功率电极124可以彼此电耦合。

载体102可以包括引线框架，其可以由金属或金属合金制成，例如，从由以下各项组成的组中选择的材料：铜（Cu）、铁镍（FeNi）、钢等。

在各种实施例中，第一功率晶体管104的第一功率电极114和第二功率晶体管106的第一功率电极124可以利用如图3所示的导电耦合结构132彼此电耦合。导电耦合结构132可以被布置在如图1所示的结构上面，即被布置在第一功率晶体管104的第一功率电极114和第二功率晶体管106的第一功率电极124上面，其在图3中被隐藏在导电耦合结构132的下面。

在各种实施例中，耦合结构132可以包括金属和金属合金中的至少一个。在各种实施例中，耦合结构132可以包括选自由以下各项组成的结构的组中的至少一个结构：线夹、条带、导线、板、以及导体轨道。在各种实施例中，耦合结构132可以具有1K/W或更小的热电阻。