[发明专利]一种新型结构的遂穿场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种新型结构的遂穿场效应晶体管，包括分别位于有源区两侧的源极和漏极、栅介质层以及位于所述栅介质层背离所述源极一侧的栅极，还包括设置在所述栅介质层和所述源极之间且与所述栅介质层和所述源极均接触的遂穿区；其特征在于，

所述源极至少包括呈“L”形垂直连接的第一区域和第二区域；

所述遂穿区至少与所述第一区域和所述第二区域接触；

所述栅介质层至少与所述遂穿区接触。

2.根据权利要求1所述的遂穿场效应晶体管，其特征在于，所述遂穿区的两端与所述源极的两端齐平。

3.根据权利要求2所述的遂穿场效应晶体管，其特征在于，所述源极包括所述第一区域和所述第二区域，且所述第二区域与所述有源区接触；

沿垂直于所述源极向所述漏极的方向，所述有源区的厚度等于所述第二区域和与所述第二区域接触的所述遂穿区的厚度之和。

4.根据权利要求3所述的遂穿场效应晶体管，其特征在于，所述漏极的厚度大于等于所述有源区的厚度。

5.根据权利要求2所述的遂穿场效应晶体管，其特征在于，所述源极还包括与所述第二区域呈“L”形垂直连接且与所述第一区域同侧设置的第三区域；

其中，所述有源区位于所述漏极和所述第三区域之间，且所述栅介质层还与所述有源区和所述漏极接触。

6.根据权利要求5所述的遂穿场效应晶体管，其特征在于，沿垂直于所述源极向所述漏极的方向，所述有源区的厚度等于所述第三区域和与所述第三区域接触的所述遂穿区的厚度之和。

7.根据权利要求1至6任一项所述的遂穿场效应晶体管，其特征在于，所述遂穿区的厚度小于10nm。

8.根据权利要求1所述的遂穿场效应晶体管，其特征在于，所述遂穿场效应晶体管为N型遂穿场效应晶体管；

其中，所述源极进行P型离子重掺杂，所述漏极进行N型离子重掺杂，所述遂穿区进行N型离子重掺杂或轻掺杂、或不进行离子掺杂；或者，

所述遂穿场效应晶体管为P型遂穿场效应晶体管；

其中，所述源极进行N型离子重掺杂，所述漏极进行P型离子重掺杂，所述遂穿区进行P型离子重掺杂或轻掺杂、或不进行离子掺杂。

9.根据权利要求8所述的遂穿场效应晶体管，其特征在于，所述遂穿区的不同区域的离子掺杂浓度相同或不完全相同；

其中，在所述遂穿区的不同区域的离子掺杂浓度相同的情况下，所述遂穿区的离子掺杂浓度为轻掺杂、或重掺杂、或无掺杂；

在所述遂穿区的不同区域的离子掺杂浓度不完全相同的情况下，所述不同区域的离子掺杂浓度为轻掺杂、重掺杂、无掺杂中的至少两种。

10.根据权利要求8所述的遂穿场效应晶体管，其特征在于，所述P型离子包括硼离子、或镓离子、或铟离子中的至少一种；

所述N型离子包括磷离子、或砷离子中的至少一种。

11.一种遂穿场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成有源区以及分别位于所述有源区两侧的源极和漏极；其中，所述源极至少包括呈“L”形垂直连接的第一区域和第二区域；

至少在所述第二区域上方形成栅介质层以及栅极；其中，所述栅极位于所述栅介质层背离所述源极的一侧；

在所述栅介质层和所述源极之间形成与所述栅介质层和所述源极均接触的遂穿区；其中，所述遂穿区至少与所述第一区域和所述第二区域接触。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述遂穿区的两端与所述源极的两端齐平。