[发明专利]一种基于MOS管的集成电路开关结构及方法

权利要求书

1.一种基于MOS管的集成电路开关结构，用于集成电路供电的开关控制，其特征在于，包括供电电源（1）、场效应管（2）、外部控制信号发生器（3）、内部控制信号发生器（4）和后续电路（5），所述供电电源（1）与所述场效应管（2）相连，所述场效应管（2）与所述后续电路（5）相连，所述外部控制信号发生器（3）和内部控制信号发生器（4）分别与所述场效应管（2）相连，所述场效应管（2）控制所述供电电源（1）与所述后续电路（5）之间的通断，所述外部控制信号发生器（3）通过发出外部控制信号控制所述场效应管（2）的通断，所述内部控制信号发生器（4）通过发出内部信号控制所述场效应管（2）的通断。

2.如权利要求1所述的基于MOS管的集成电路开关结构，其特征在于，所述内部控制信号发生器（4）与所述后续电路（5）相连，并根据检测的所述后续电路（5）的情况发出内部控制信号。

3.如权利要求2所述的基于MOS管的集成电路开关结构，其特征在于，还包括控制对象，所述内部控制信号发生器（4）与所述控制对象相连，并根据检测的所述场控制对象的情况发出内部控制信号。

4.如权利要求1所述的基于MOS管的集成电路开关结构，其特征在于，所述内部控制信号发生器（4）为硬件电路或控制软件。

5.如权利要求1所述的基于MOS管的集成电路开关结构，其特征在于，所述场效应管（2）为金属—氧化物—半导体场效应晶体管或金属—绝缘体—半导体场效应晶体管。

6.如权利要求1所述的基于MOS管的集成电路开关结构，其特征在于，所述场效应管（2）为N型场效应晶体管或P型场效应晶体管。

7.一种基于MOS管的集成电路开关方法，用于如权利要求1至6任一项所述的集成电路开关结构，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，所述外部控制信号发生器（3）和内部控制信号发生器（4）发出控制信号；

步骤2，所述场效应管（2）根据控制信号实现通断；

步骤3，通过所述场效应管（2）的通断实现所述供电电源（1）与所述后续电路（5）的通断。