[发明专利]一种基于MOS管的集成电路开关结构及方法

说明书

技术领域

本发明属于机械设备控制领域，涉及一种集成电路开关，尤其涉及一种基于MOS管的集成电路开关结构及方法。

背景技术

工业电路设计需要考虑产品的安全性，应尽量提高电路的可靠性来降低故障率，以避免事故发生。

目前集成电路的供电一般采用机械式电磁继电器实现，通过控制电磁继电器的吸合和断开来控制电路供电的通断。其原理框图如附图1所示。

这样做的问题是：

1、无法避免外部信号故障产生问题。

2、使用机械式电磁继电器会产生电磁干扰，触点氧化容易造成接触不良，触点使用寿命较短需要定期更换，控制信号消耗功率较高。

3、机械式电磁继电器本身延时断电的时间相对固定。

发明内容

有鉴于此，本发明将通过采用MOS管作为集成电路控制的开关，有效降低了控制信号故障对集成电路产生的影响，并有效降低了电磁干扰，实现可控延时断电，并不存在触点氧化和定期维护问题，更好的实现了电路保护。

为达到上述目的，具体技术方案如下：

一方面，提供一种基于MOS管的集成电路开关结构，用于集成电路供电的开关控制，包括供电电源、场效应管、外部控制信号发生器、内部信号发生器和后续电路，所述供电电源与所述场效应管相连，所述场效应管与所述后续电路相连，所述外部控制信号发生器和内部信号发生器分别与所述场效应管相连，所述场效应管控制所述供电电源与所述后续电路之间的通断，所述外部控制信号发生器通过发出外部控制信号控制所述场效应管的通断，所述内部信号发生器通过发出内部信号控制所述场效应管的通断。

优选的，所述内部信号发生器与所述后续电路相连，并根据检测的所述后续电路的情况发出内部控制信号。

优选的，还包括控制对象，所述内部控制信号发生器与所述控制对象相连，并根据检测的所述场控制对象的情况发出内部控制信号。

优选的，所述内部控制信号发生器为硬件电路或控制软件。

优选的，所述场效应管为金属—氧化物—半导体场效应晶体管或金属—绝缘体—半导体场效应晶体管。

优选的，所述场效应管为N型场效应晶体管或P型场效应晶体管。

另一方面，提供一种基于MOS管的集成电路开关方法，包括以下步骤：

步骤1，所述外部控制信号发生器和内部控制信号发生器发出控制信号；

步骤2，所述场效应管根据控制信号实现通断；

步骤3，通过所述场效应管的通断实现所述供电电源与所述后续电路的通断。

相对于现有技术，本发明的技术方案的优点有：

1、可以有效降低外部控制信号或内部控制信号故障对集成电路产生的影响；

2、有效降低电磁干扰，不存在触点氧化和定期维护问题；

3、可由内部控制信号根据需要实现可控延时断电，能够更好的实现电路保护。

附图说明

构成本发明的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1是现有技术的结构示意图

图2是本发明实施例的结构示意图。

其中，1为供电电源、2为场效应管、3为外部控制信号发生器、4为内部控制信号发生器、5为后续电路。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

以下将结合附图对本发明的实施例做具体阐释。

如图2中所示的本发明的实施例的一种基于MOS管的集成电路开关结构及方法，用于集成电路供电的开关控制，结构包括供电电源1、场效应管2、外部控制信号发生器3、内部信号发生器4和后续电路5。

供电电源1与场效应管2相连，场效应管2与后续电路5相连。外部控制信号发生器3和内部信号发生器4分别与场效应管2相连。场效应管2控制供电电源1与后续电路5之间的通断。外部控制信号发生器3通过发出外部控制信号控制场效应管2的通断，内部信号发生器4通过发出内部信号控制场效应管2的通断。

方法，包括：

步骤1，外部控制信号发生器3和内部控制信号发生器4发出控制信号；