[发明专利]去除PECVD装置的电荷的系统及其控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺领域，尤其涉及一种去除PECVD装置的电荷的系统及其控制方法。

背景技术

等离子体增强化学气相沉积（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）是半导体制造工业中常用的薄膜材料制备方法，用于沉积二氧化硅、氮化硅等半导体材料。在PECVD工艺过程中，除基片沉浸在等离子体中外，工艺腔室的内壁也直接面对等离子体，这导致原本导电的金属器壁沉积一层非金属薄膜。这层非金属薄膜的导电性差，使得等离子体中的电荷在腔室内壁上发生积累，当积累到一定量时就会导致气体击穿产生额外的等离子体放电。这些放电使得原本稳定的等离子体受到干扰，不可避免地影响到工艺过程的稳定性，显著降低产品的合格率。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。

为此，本发明的第一个目的在于提出一种结构简单、可靠的去除PECVD装置的电荷的系统。

本发明的第二个目的在于提出一种去除PECVD装置的电荷的系统的控制方法。

为了实现上述目的，本发明第一方面实施例的去除PECVD装置的电荷的系统，包括：PECVD腔室，所述PECVD腔室具有光源出入口；光源，用于照射所述PECVD腔室的内壁；驱动装置，所述驱动装置与所述光源相连，用于驱动所述光源从所述光源出入口进出所述PECVD腔室；挡板，所述挡板位于所述PECVD腔室的内壁的一侧，用于开闭所述光源出入口；控制器，所述控制器分别与所述光源，所述驱动装置和所述挡板相连，用于在通过所述驱动装置控制所述光源进入所述PECVD腔室时，控制所述挡板打开所述光源出入口并控制所述光源照射所述PECVD腔室的内壁，以及在所述光源移出所述PECVD腔室时、控制所述挡板关闭所述光源出入口。

根据本发明的去除PECVD装置的电荷的系统，通过控制器控制驱动装置驱动光源进入PECVD腔室并照射PECVD腔室的内壁，从而有效地自动去除PECVD腔室的内壁积累的电荷，本系统的结构简单、可靠，提高了整个工艺过程的稳定性。

在一些示例中，所述驱动装置具体包括：波纹管，所述波纹管通过支撑杆与所述光源相连；步进电机，所述步进电机与所述波纹管相连，用于通过所述波纹管驱动所述光源移动。

在一些示例中，所述驱动装置通过接口与所述PECVD腔室的侧面连接。

在一些示例中，所述挡板的材料与所述PECVD腔室的内壁的材料相同。

在一些示例中，所述光源为紫外光源。

本发明第二方面实施例的去除PECVD装置的电荷的系统的控制方法，包括以下步骤：控制所述挡板开启；在所述挡板开启后，控制所述光源点亮并通过所述光源出入口进入所述PECVD腔室以利用所述光源照射所述PECVD腔室的内壁以去除所述PECVD腔室的内壁上的电荷；在对所述PECVD腔室的内壁的照射达到预设条件后，控制所述光源移出所述PECVD腔室；控制所述挡板关闭以便所述PECVD腔室进入工艺模式。

根据本发明的去除PECVD装置的电荷的系统的控制方法，通过控制步进电机驱动光源进入PECVD腔室并照射PECVD腔室的内壁，从而有效地自动去除PECVD腔室的内壁积累的电荷，本发明实施例的系统结构简单、可靠，提高了整个工艺过程的稳定性。

在一些示例中，所述挡板安装在所述PECVD腔室的内壁的一侧。

在一些示例中，所述挡板的材料与所述PECVD腔室的内壁的材料相同。

本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

图1是根据本发明一个实施例的去除PECVD装置的电荷的系统的结构框图；

图2是根据本发明一个实施例的去除PECVD装置的电荷的系统的结构示意图；

图3是根据本发明另一个实施例的去除PECVD装置的电荷的系统的结构示意图；和

图4是根据本发明一个实施例的去除PECVD装置的电荷的系统的控制方法的流程图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。