[发明专利]调整纳米线结构的方法

权利要求书

1.一种形成装置的方去，包括：

形成具有初始截面尺寸的初始纳米线结构；

进行掺杂扩散程序，以在该初始纳米线结构中形成N型掺杂区；以及

进行蚀刻程序，以移除该掺杂区的至少一部分，并且藉以界定具有最终截面尺寸的最终纳米线结构，其中，该最终截面尺寸小于该初始截面尺寸。

2.如权利要求1所述的方法，还包括于该最终纳米线结构的至少一部分周围形成栅极结构。

3.如权利要求2所述的方法，其中，该栅极结构包括由高k绝缘材料构成的栅极绝缘层以及由至少一层金属构成的栅极电极。

4.如权利要求2所述的方法，其中，该栅极结构包括由氧化物构成的栅极绝缘层以及由多晶硅构成的栅极电极。

5.如权利要求1所述的方法，其中，进行该掺杂扩散程序包括进行电浆掺杂程序或气相掺杂程序的其中一者。

6.如权利要求1所述的方法，其中，该掺杂扩散程序于范围落在大约600至1100℃内的温度进行。

7.如权利要求1所述的方法，其中，该掺杂区具有范围落在大约10¹⁹至10²¹原子/cm³内的N型掺质材料的掺质浓度。

8.如权利要求1所述的方法，还包括于进行该掺杂程序之后，进行掺质驱入热处理程序。

9.如权利要求1所述的方法，其中，进行该蚀刻程序包括进行氯基蚀刻程序。

10.如权利要求1所述的方法，其中，该最终截面尺寸小于该初始截面尺寸大约20%至80%。

11.如权利要求1所述的方法，其中，进行该蚀刻程序实质上移除所有的该掺杂区。

12.如权利要求1所述的方法，其中，该初始纳米线结构具有实质上为圆形的截面配置。

13.如权利要求1所述的方法，其中，该初始纳米线结构及该最终纳米线结构具有实质上相同的截面配置。

14.一种形成装置的方法，包括：

形成具有初始截面尺寸的初始纳米线结构；

进行掺杂扩散程序，以在该初始纳米线结构中形成N型掺杂区，其中，该掺杂扩散程序于范围落在大约600至1100℃内的温度进行，以及其中，该掺杂区具有范围落在大约10¹⁹至10²¹原子/cm³内的N型掺质材料的掺质浓度；以及

进行蚀刻程序，以移除该掺杂区的至少一部分，并且藉以界定具有最终截面尺寸的最终纳米线结构，其中，该最终截面尺寸小于该初始截面尺寸。

15.如权利要求14所述的方法，还包括形成围绕该最终纳米线结构的至少一部分的栅极结构。

16.如权利要求14所述的方法，其中，进行该掺杂扩散程序包括进行电浆掺杂程序或气相掺杂程序的其中一者。

17.如权利要求14所述的方法，还包括于进行该掺杂程序之后，进行掺质驱入热处理程序。

18.如权利要求14所述的方法，其中，进行该蚀刻程序包括进行氯基蚀刻程序。

19.如权利要求14所述的方法，其中，该最终截面尺寸小于该初始截面尺寸大约20%至80%。

20.如权利要求14所述的方法，其中，进行该蚀刻程序实质上移除所有的该掺杂区。

21.如权利要求14所述的方法，其中，该初始纳米线结构具有实质上为圆形的截面配置。

22.如权利要求14所述的方法，其中，该初始纳米线结构及该最终纳米线结构具有实质上相同的截面配置。