[发明专利]非易失性存储装置及使用其的半导体系统和计算机设备

权利要求书

1.一种非易失性存储装置，包括：

存储器单元阵列，包括多个子阵列；

多个模数转换器，被配置为感测从所述多个子阵列的存储器单元输出的感测电压；以及

路径选择单元，被配置为在第一操作模式下以一对一的对应方式将所述多个子阵列与所述多个模数转换器电耦接，以及在第二操作模式下将所述多个模数转换器与电源电压的端子电耦接，

其中，当所述多个模数转换器与所述电源电压的端子电耦接时，所述多个模数转换器监测所述电源电压的噪声。

2.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述路径选择单元响应于操作模式设定信号而将所述多个子阵列和所述电源电压的端子中的一个与所述多个模数转换器电耦接。

3.如权利要求2所述的非易失性存储装置，其中，所述多个模数转换器响应于所述操作模式设定信号而与所述电源电压的端子并联电耦接。

4.如权利要求1所述的非易失性存储装置，还包括：

数据输出单元，被配置为组合所述多个模数转换器的输出以及产生输出数据。

5.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述第一操作模式对应于读取命令以读取储存在所述存储器单元阵列中的数据。

6.如权利要求1所述的非易失性存储装置，其中，所述第一操作模式与所述第二操作模式不同。

7.一种非易失性存储装置，包括：

第一模数转换器阵列，被配置为感测从第一存储体的存储器单元输出的感测电压；

第二模数转换器阵列，被配置为感测从第二存储体的存储器单元输出的感测电压；

第一路径选择单元，被配置为：在不对所述第一存储体执行正常操作时，将所述第一模数转换器阵列与电源电压的端子电耦接；以及

第二路径选择单元，被配置为：在不对所述第二存储体执行正常操作时，将所述第二模数转换器阵列与所述电源电压的端子电耦接，

其中，当所述第一模数转换器阵列和所述第二模数转换器阵列与所述电源电压的端子电耦接时，所述第一模数转换器阵列和所述第二模数转换器阵列监测所述电源电压的噪声。

8.如权利要求7所述的非易失性存储装置，其中，所述第一路径选择单元响应于第一操作模式设定信号而将所述第一存储体的存储器单元或所述电源电压的端子与所述第一模数转换器阵列电耦接。

9.如权利要求8所述的非易失性存储装置，其中，所述第一操作模式设定信号包括用于所述第一存储体的存储体选择信息和与所述正常操作有关的信息。

10.如权利要求7所述的非易失性存储装置，其中，所述第二路径选择单元响应于第二操作模式设定信号而将所述第二存储体的存储器单元或所述电源电压的端子与所述第二模数转换器阵列电耦接。

11.如权利要求10所述的非易失性存储装置，其中，所述第二操作模式设定信号包括用于所述第二存储体的存储体选择信息和与所述正常操作有关的信息。

12.如权利要求8所述的非易失性存储装置，还包括：

第一数据输出单元，被配置为组合所述第一模数转换器阵列的输出以及产生第一输出数据；以及

第二数据输出单元，被配置为组合所述第二模数转换器阵列的输出以及产生第二输出数据。