[发明专利]电子束检测优化方法

权利要求书

1.一种电子束检测优化方法，包括：

取得一芯片中的多个初始检测区域，每个所述初始检测区域的中心为一缺陷点；

重新产生互不重叠的多个重设检测区域，其中每个所述重设检测区域是被一视场(FOV)所涵盖的范围，且所述范围内具有至少一个所述缺陷点；

将所述重设检测区域的中心转换成多个检测中心点；以及

对所述检测中心点进行电子束检测；

其中，所述重新产生互不重叠的多个重设检测区域，是以视场(FOV)的范围为单位，将多个初始检测区域中的所有缺陷点重新分配至多个检测区域内，形成多个不重叠的重设检测区域。

2.根据权利要求1所述的电子束检测优化方法，其中取得所述芯片中的所述初始检测区域的方法包括：设定在关键尺寸(CD)在一预定值以下的区域为所述初始检测区域。

3.根据权利要求1所述的电子束检测优化方法，其中取得所述芯片中的所述初始检测区域的方法包括：根据设计法则(design rule)将超过一预定数值或低于一预定数值的区域设定为所述初始检测区域。

4.根据权利要求1所述的电子束检测优化方法，其中取得所述芯片中的所述初始检测区域的方法包括：根据先前进行的一芯片缺陷检测结果选定所述初始检测区域。

5.根据权利要求1所述的电子束检测优化方法，其中取得所述芯片中的所述初始检测区域的方法包括：根据黄光规则检查(lithographic rule check，LRC)以及/或是设计规则检查(design rule check，DRC)得到的区域设为所述初始检测区域。

6.根据权利要求1所述的电子束检测优化方法，其中所述初始检测区域是由其他机台取得的缺陷点信息。

7.根据权利要求1所述的电子束检测优化方法，其中每个所述重设检测区域的所述视场(FOV)为0.1μm～100μm。

8.一种电子束检测优化方法，包括：

取得一芯片中的多个初始检测区域，每个所述初始检测区域的中心为一缺陷点；

以一视场(FOV)的范围为单位，将所有的所述缺陷点重新分配至多个重设检测区域内；

将所述重设检测区域的中心转换成多个检测中心点；以及

对所述检测中心点进行电子束检测；

其中，所述以一视场(FOV)的范围为单位，将所有的所述缺陷点重新分配至多个重设检测区域内，是将多个初始检测区域中的所有缺陷点重新分配至多个检测区域内，形成多个不重叠的重设检测区域。

9.根据权利要求8所述的电子束检测优化方法，其中所述重设检测区域之间的重叠面积为每个所述重设检测区域的面积比1％以下。

10.根据权利要求8所述的电子束检测优化方法，其中取得所述芯片中的所述初始检测区域的方法包括：设定在关键尺寸(CD)在一预定值以下的区域为所述初始检测区域。

11.根据权利要求8所述的电子束检测优化方法，其中取得所述芯片中的所述初始检测区域的方法包括：根据设计法则(design rule)将超过一预定数值或低于一预定数值的区域设定为所述初始检测区域。

12.根据权利要求8所述的电子束检测优化方法，其中取得所述芯片中的所述初始检测区域的方法包括：根据先前进行的一芯片缺陷检测结果选定所述初始检测区域。

13.根据权利要求8所述的电子束检测优化方法，其中取得所述芯片中的所述初始检测区域的方法包括：根据黄光规则检查(lithographic rule check，LRC)以及/或是设计规则检查(design rule check，DRC)得到的区域设为所述初始检测区域。

14.根据权利要求8所述的电子束检测优化方法，其中所述初始检测区域是由其他机台取得的缺陷点信息。

15.根据权利要求8所述的电子束检测优化方法，其中所述视场(FOV)的范围为0.1μm～100μm。