[发明专利]一种修复位于有源区衬底上损伤的方法

权利要求书

1.一种修复位于有源区衬底上损伤的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一设置有有源区的半导体衬底；

于该半导体衬底上进行CMOS器件制备工艺时，在位于有源区的半导体衬底上形成损伤后，采用选择性外延生长工艺对所述损伤进行修复。

2.根据权利要求1所述的修复位于有源区衬底上损伤的方法，其特征在于，所述CMOS器件制备工艺包括栅极图形化工艺、偏置侧墙刻蚀工艺、主侧墙刻蚀工艺、灰化工艺和清洗工艺；

于所述半导体衬底上进行所述栅极图形化工艺、所述偏置侧墙刻蚀工艺、所述主侧墙刻蚀工艺、所述灰化工艺和/或所述清洗工艺后，采用选择性外延生长工艺对所述损伤进行修复。

3.根据权利要求1所述的修复位于有源区衬底上损伤的方法，其特征在于，所述损伤包括材料损失和衬底表面粗糙度增大。

4.根据权利要求3所述的修复位于有源区衬底上损伤的方法，其特征在于，所述材料损失包括硅损失和/或氧化物损失。

5.根据权利要求1所述的修复位于有源区衬底上损伤的方法，其特征在于，所述选择性外延生长工艺形成一修复薄膜覆盖在位于有源区的半导体衬底上，以对所述损伤进行修复。

6.根据权利要求5所述的修复位于有源区衬底上损伤的方法，其特征在于，所述修复薄膜的材质及其物理化学性质均与所述半导体衬底的相同。

7.根据权利要求5所述的修复位于有源区衬底上损伤的方法，其特征在于，所述修复薄膜的厚度为20～100埃。

8.根据权利要求1所述的修复位于有源区衬底上损伤的方法，其特征在于，在温度为500～800℃的条件下，采用SiH₄或DCS作为反应气体，同时于反应腔室中通入H₂和HCL，进行所述选择性外延生长工艺。

9.根据权利要求1所述的修复位于有源区衬底上损伤的方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。

10.根据权利要求1所述的修复位于有源区衬底上损伤的方法，其特征在于，采用单片或批次处理系统进行所述的CMOS器件制备工艺。

11.一种修复位于有源区衬底上损伤的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一半导体衬底；

于该半导体衬底的上表面覆盖一栅氧化物层后，在该栅氧化层的上表面制备多晶硅层或非晶硅层；

继续依次进行栅极图案化工艺、偏置侧墙制备工艺、轻掺杂工艺、退火工艺、主侧墙制备工艺和源/漏极注入工艺；

其中，于偏置侧墙制备工艺和/或主侧墙制备工艺后，对暴露的半导体衬底的表面进行选择性外延生长工艺。

12.根据权利要求11所述的修复位于有源区衬底上损伤的方法的制备方法，其特征在于，在进行偏置侧墙制备工艺和主侧墙制备工艺时均对暴露的半导体衬底表面造成损伤，所述选择性外延生长工艺对所述损伤进行修复。

13.根据权利要求12所述的修复位于有源区衬底上损伤的方法，其特征在于，所述选择性外延生长工艺形成一修复薄膜覆盖在暴露的半导体衬底上，以对所述损伤进行修复。

14.根据权利要求13所述的修复位于有源区衬底上损伤的方法，其特征在于，所述修复薄膜的材质及其物理化学性质均与所述半导体衬底的相同。

15.根据权利要求13所述的修复位于有源区衬底上损伤的方法，其特征在于，所述修复薄膜的厚度为20～100埃。

16.根据权利要求11所述的修复位于有源区衬底上损伤的方法，其特征在于，所述损伤包括材料损失和衬底表面粗糙度增大。

17.根据权利要求16所述的修复位于有源区衬底上损伤的方法，其特征在于，所述材料损失包括硅损失和/或氧化物损失。

18.根据权利要求11所述的修复位于有源区衬底上损伤的方法，其特征在于，在温度为500～800℃的条件下，采用SiH₄或DCS作为反应气体，同时于反应腔室中通入H₂和HCL，进行所述选择性外延生长工艺。

19.根据权利要求11所述的修复位于有源区衬底上损伤的方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。