[发明专利]使用测试组件的测试方法

权利要求书

1.一种使用测试组件测试OVL偏差的极限位置的测试方法，所述测试组件包括：

上层芯片、中间层芯片、下层芯片，

接触孔，设置在所述中间层芯片上并且贯穿所述中间层芯片，用于连接所述上层芯片和所述中间层芯片，

第一标尺，与所述上层芯片和所述下层芯片中的任意一层芯片的中心对准，

第二标尺，与所述接触孔的中心对准；

所述第一标尺和所述第二标尺设有能够通过OVL读取的直线标记；

所述测试方法的特征在于，

针对每个测试组件，利用所述第一标尺和所述第二标尺分别测量所述任意一层芯片的中心与所述接触孔的中心之间的偏差，并且利用IR量测机台来测量所述任意一层芯片和另一芯片间的接触电阻，所述另一芯片是指所述上层芯片和所述下层芯片中的所述任意一层芯片之外的芯片，

在多个所述测试组件中，设定各自的所述偏差的量逐级增加，

根据测量出的各个所述测试组件的所述偏差和与所述偏差对应的所述接触电阻，来确认所述接触电阻最大时的所述偏差，

将所述接触电阻最大时的所述偏差，作为OVL偏差的极限位置。

2.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，

所述第一标尺和所述第二标尺的刻度单位大小不同，

当所述第一标尺和所述第二标尺的0刻度位对齐时，各刻度之间的偏差，等于各刻度的读数，

当所述第一标尺和所述第二标尺的一个刻度位对齐时，该刻度的读数，等于两个标尺的0刻度位的偏差。

3.如权利要求1或2所述的测试方法，其特征在于，

所述第一标尺和所述第二标尺是与所述上层芯片及所述接触孔一起制造出来的。

4.如权利要求1或2所述的测试方法，其特征在于，

所述第一标尺和所述第二标尺的每一格刻度之间的差为0.1um。

5.如权利要求1或2所述的测试方法，其特征在于，

在多个所述测试组件中，使所述偏差的量分别为-0.5um、-0.4um、-0.3um、-0.2um、-0.1um、0um、0.1um、0.2um、0.2um、-0.4um、0.5um。