[发明专利]使用测试组件的测试方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种在AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode：有源矩阵有机发光二极体面板)产品中通过测试各层芯片层间接触电阻从而获取设计参数的测试组件(testkey)及使用该测试组件的测试方法。

背景技术

在现行的AMOLED产品设计中，因AA区需采取多颗TFT，故在进行高解析度产品设计时空间较为紧张，尤其是在层与层间进行转接的地方，在机台最小线宽及最小线距无法提升的情况下，尽可能缩小转接处所占像素(Pixel)空间能够对高解析度产品设计有直接效益。

如果不同层间的接触孔之间存在偏差(接触孔发生相互错位的情形)，则会影响到层间的接触电阻的大小。因此，需要在有限的线宽内，获取该偏差与接触电阻之间的可接受的极限值，才能够有效地设计接触孔，缩减转接空间的边缘值。

在现有技术中，理论上虽然能够针对每层的接触孔进行测量，然后分别进行比较，由此获得各层间接触孔的偏差。但是，在实际操作中，由于各层的芯片极小(um级)，接触孔更小，接触孔间的偏差则更加难以测得。并且每次测量时都需要使测量工具与芯片的接触孔的中心对准，难度极大。因此，由于难以测量出各层间芯片的接触孔的偏差，导致现有的技术中并无较好方法进行可靠地转接处空间缩减的边缘(Margin)值计算。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供一种测试组件，其特征在于，包括：上层芯片、中间层芯片、下层芯片；接触孔，设置在所述中间层芯片上并且贯穿所述中间层芯片，用于连接所述上层芯片和所述中间层芯片；第一标尺，与所述上层芯片和所述下层芯片中的任意一层芯片的中心对准；第二标尺，与所述接触孔的中心对准；所述第一标尺和所述第二标尺设有能够通过OVL读取的直线标记。

并且，所述两个标尺的刻度单位大小不同；当所述两个标尺的0刻度位对齐时，各刻度之间的偏差，等于各刻度的读数；当所述两个标尺的一个刻度位对齐时，该刻度的读数，等于两个标尺的0刻度位的偏差。

另外，本发明还提供一种用于测试接触电阻及取得设计参数的测试方法，针对多个如上所述的测试组件中的每个测试组件，利用所述第一标尺和所述第二标尺分别测量所述任意一层芯片的中心与所述接触孔的中心之间的偏差，并且利用IR量测机台来测量所述任意一层芯片和另一芯片间的接触电阻，所述另一芯片是指所述上层芯片和所述下层芯片中的所述任意一层芯片之外的另一芯片，在多个所述测试组件中，设定各自的所述偏差的量逐级增加，根据测量出的所述偏差和所述接触电阻，来确认所述接触电阻最大时的所述偏差。

通过该测试组件以及使用该测试组件的测试方法，能够尽快并且简便地测出两层芯片的偏移的极限位置，能够更好的挖掘制程能力的极限，从而尽可能缩小转接处所占像素空间，能够对高解析度产品设计有直接效益，并且能够根据计测出的极限位置来可靠地计算转接处空间缩减的极限值。

附图说明

图1是本发明的测试组件(testkey)的概略示意图。

图2A、图2B是用于说明标尺的测量方式的示意图。

图3是用于说明利用测试组件进行测试的图之一。

图4是用于说明利用测试组件进行测试的图之二。

具体实施方式

图1是本发明的测试组件(testkey)的概略示意图，如图1所示，测试组件1包括上层芯片10、中间层芯片11、下层芯片12、设置在中间层芯片11上并且贯穿该中间层芯片11的接触孔14、设有能够通过OVL(套准)读取的直线标记(OVL mark)的两个标尺16、18。针对接触孔14，在制程中需要有足够的边缘(margin)，从而使之不会掉到下层芯片12的图形之外，接触孔14与上层芯片10均通过与下层对位来确定相对位置进行制作。另外，在图1中，用虚线示出了接触孔14，表示其被上层芯片10覆盖，并且接触孔14所处的中间芯片11也被上层芯片10覆盖，下面仅示出接触孔14。

另外，这里所述的图形，是指测试组件的芯片自身所呈现的图形，例如，图1中的上层芯片10、下层芯片12均呈现为正方形。