[发明专利]固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法无效
申请号: | 201410051085.6 | 申请日: | 2014-02-14 |
公开(公告)号: | CN104051482A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 永田一博;小笠原隆行;岩田胜雄;佐藤二尚 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 戚宏梅;杨谦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 制造 方法 | ||
1.一种固体摄像装置,排列有多个像素,该多个像素分别具有在半导体基板的表面设置的电荷积蓄层和在所述半导体基板的背面侧设置的滤光层,其特征在于,
所述多个像素所分别具有的所述滤光层的透射波段相互不同,
所述多个像素所分别包含的所述半导体基板的厚度相互不同。
2.如权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述滤光层是红色滤光层、绿色滤光层或者蓝色滤光层,
所述多个像素是具有所述红色滤光层的红色像素、具有所述绿色滤光层的绿色像素及具有所述蓝色滤光层的蓝色像素,
所述红色像素所包含的所述半导体基板的厚度、所述绿色像素所包含的所述半导体基板的厚度及所述蓝色像素所包含的所述半导体基板的厚度相互不同。
3.如权利要求2所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述半导体基板是硅基板,
所述红色像素所包含的所述硅基板的厚度比所述绿色像素所包含的所述硅基板的厚度厚,而且,所述绿色像素所包含的所述硅基板的厚度比所述蓝色像素所包含的所述硅基板的厚度厚。
4.如权利要求2所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述红色像素、所述绿色像素及所述蓝色像素被拜耳排列。
5.如权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述多个像素分别具有:
第一导电型的半导体层,设置在从被照射入射光的所述半导体基板的背面起至与所述电荷积蓄层接触的位置为止的区域;
第二导电型的半导体层,设置在位于该第一导电型的半导体层与相邻于该半导体层的其他所述第一导电型的半导体层之间的所述半导体基板,用于将这些第一导电型的半导体层相互分离;以及
平坦化层,设置在所述半导体基板的背面与所述滤光层之间;
所述平坦化层的厚度按照每个所述像素而不同。
6.如权利要求5所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述平坦化层设置成使所述半导体基板的厚度与所述平坦化层的厚度和在所述各像素中相等,
所述滤光层设置在所述平坦化层的平坦的表面上。
7.如权利要求1所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述滤光层是红色滤光层、绿色滤光层或者蓝色滤光层,
所述多个像素是分别具有所述红色滤光层的多个红色像素、分别具有所述绿色滤光层的多个绿色像素及分别具有所述蓝色滤光层的多个蓝色像素,
分别包含有所述红色像素、所述绿色像素及所述蓝色像素的多个像素群被二维排列,
在相同的所述像素群内,所述红色像素所包含的所述半导体基板的厚度、所述绿色像素所包含的所述半导体基板的厚度及所述蓝色像素所包含的所述半导体基板的厚度相互不同,
在所述半导体基板的中央部配置的所述像素群内的所述红色像素所包含的所述半导体基板的厚度与在所述半导体基板的周边部配置的所述像素群内的所述红色像素所包含的所述半导体基板的厚度不同,
在所述半导体基板的中央部配置的所述像素群内的所述绿色像素所包含的所述半导体基板的厚度与在所述半导体基板的周边部配置的所述像素群内的所述绿色像素所包含的所述半导体基板的厚度不同,
在所述半导体基板的中央部配置的所述像素群内的所述蓝色像素所包含的所述半导体基板的厚度与在所述半导体基板的周边部配置的所述像素群内的所述蓝色像素所包含的所述半导体基板的厚度不同。
8.如权利要求7所述的固体摄像装置,其特征在于,
所述半导体基板是硅基板,
在相同的所述像素群内,所述红色像素所包含的所述硅基板的厚度比所述绿色像素所包含的所述硅基板的厚度厚,而且,所述绿色像素所包含的所述硅基板的厚度比所述蓝色像素所包含的所述硅基板的厚度厚。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的