[发明专利]固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法

说明书

相关申请的参照

本申请享受2013年3月14日申请的日本国特许申请号2013-051598的优先权利益，并在本申请中援引该日本国特许申请的全部内容。

技术领域

本实施方式一般地讲涉及固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法。

背景技术

在硅基板的表面上具有布线层、从硅基板的背面侧接受光的背面照射型的固体摄像装置中，通常硅基板被薄型化。因此，特别是相对于硅而言的吸收系数较小的红色成分的光（以下称作R光）不会被薄的硅基板充分吸收，而透射硅基板。因此，以往的背面照射型的固体摄像装置对R光的灵敏度很差，这导致了固体摄像装置的灵敏度的降低。

若为了抑制固体摄像装置的灵敏度的降低而将硅基板增厚为能够充分吸收R光的程度，则会发生产生混色的问题。即，若相对于硅而言的吸收系数较大的蓝色成分的光（以下称作B光）入射到硅基板，则其大部分在硅基板的背面附近被吸收，产生电荷。另一方面，在背面照射型的固体摄像装置中，电荷积蓄层设置于硅基板的表面。因此，在以往的背面照射型的固体摄像装置中，若为了提高灵敏度而增厚硅基板，则主要产生电荷的场所与电荷积蓄层之间的距离变长，所产生的电荷的移动距离变长。因而，所产生的电荷容易移动到相邻像素的电荷积蓄层中而产生混色。

这样，在以往的背面照射型的固体摄像装置中，很难同时实现灵敏度的提高和混色的减少。

发明内容

本发明要解决的课题在于提供一种能够同时实现灵敏度的提高和混色的减少的固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法。

实施方式涉及固体摄像装置，排列有多个像素，该多个像素分别具有在半导体基板的表面设置的电荷积蓄层和在所述半导体基板的背面侧设置的滤光层，其特征在于，所述多个像素所分别具有的所述滤光层的透射波段相互不同，所述多个像素所分别包含的所述半导体基板的厚度相互不同。

另外的实施方式涉及固体摄像装置的制造方法，该固体摄像装置排列有多个像素，该多个像素分别具有在半导体基板的表面配设的电荷积蓄层及在所述半导体基板的背面侧配设的滤光层，所述多个像素所分别具有的所述滤光层的透射波段相互不同，其特征在于，将在表面形成有多个所述电荷积蓄层的所述半导体基板从背面侧削薄，直至所述半导体基板成为规定的厚度；在所述半导体基板的背面形成凹凸，使得所述多个像素所分别包含的所述半导体基板的厚度相互不同；在形成了所述凹凸的所述半导体基板的背面侧，形成所述透射波段相互不同的多个所述滤光层。

根据上述构成的固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法，能够同时实现灵敏度的提高和混色的减少。

附图说明

图1是表示第一实施例所涉及的固体摄像装置的主要部分的俯视图。

图2分别是图1所示固体摄像装置的局部截面图，该图（a）是沿着图1的单点划线X-X′的截面图，该图（b）是沿着图1的单点划线Y-Y′的截面图。

图3分别是用于说明第一实施例所涉及的固体摄像装置的制造方法的图，该图（a）是与图2（a）对应的截面图，该图（b）是与图2（b）对应的截面图。

图4分别是用于说明第一实施例所涉及的固体摄像装置的制造方法的图，该图（a）是与图2（a）对应的截面图，该图（b）是与图2（b）对应的截面图。

图5分别是用于说明第一实施例所涉及的固体摄像装置的制造方法的图，该图（a）是与图2（a）对应的截面图，该图（b）是与图2（b）对应的截面图。

图6分别是用于说明第一实施例所涉及的固体摄像装置的制造方法的图，该图（a）是与图2（a）对应的截面图，该图（b）是与图2（b）对应的截面图。

图7分别是用于说明第一实施例所涉及的固体摄像装置的制造方法的变形例的图，该图（a）是与图2（a）对应的截面图，该图（b）是与图2（b）对应的截面图。

图8分别是用于说明第一实施例所涉及的固体摄像装置的制造方法的变形例的图，该图（a）是与图2（a）对应的截面图，该图（b）是与图2（b）对应的截面图。

图9是简化表示第二实施例所涉及的固体摄像装置的主要部分的俯视图。

图10分别是图9所示固体摄像装置的局部截面图，该图（a）是沿着图9的单点划线A-A′的截面图，该图（b）是沿着图9的单点划线B-B′的截面图。

图11分别是用于说明第二实施例所涉及的固体摄像装置的制造方法的图，该图（a）是与图10（a）对应的截面图，该图（b）是表示与图10（b）对应的截面图。