[发明专利]一种半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201410051810.X | 申请日： | 2014-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN104851802B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 卜伟海;陈勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/283;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上依次形成栅极氧化层、虚拟栅极材料层和硬掩膜层，
其中，在形成所述虚拟栅极材料层的同时执行掺杂工艺，以使所述虚拟栅极材料层的掺杂浓度自下而上逐渐减小；
刻蚀所述硬掩膜层和所述虚拟栅极材料层，以形成第一虚拟栅极，其中不同掺杂浓度的所述第一虚拟栅极具有不同的氧化速率；
执行氧化工艺，氧化部分的所述第一虚拟栅极以形成自下而上逐渐变薄的氧化层；
去除所述氧化层，以形成上宽下窄的第二虚拟栅极；
在所述第二虚拟栅极的两侧形成侧墙结构；
在所述半导体衬底上形成层间介电层，执行平坦化工艺以露出所述第二虚拟栅极。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在执行平坦化步骤之后去除所述第二虚拟栅极以及位于所述第二虚拟栅极下方的所述栅极氧化层以形成金属栅极沟槽的步骤。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述金属栅极沟槽之后在所述金属栅极沟槽中填充高K介电层和金属栅极层以形成金属栅极的步骤。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用原位掺杂工艺或者注入工艺执行所述掺杂步骤。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在执行所述氧化工艺之后执行源/漏扩展区注入的步骤。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在形成所述侧墙结构之后形成源/漏极的步骤。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用各向异性刻蚀工艺执行所述刻蚀步骤。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用稀释的氢氟酸去除所述氧化层。
9.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括采用如权利要求1-8中的任一方法制造的金属栅极结构，所述金属栅极结构为上宽下窄的金属栅极结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
