[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示装置有效
申请号: | 201410051832.6 | 申请日: | 2014-02-14 |
公开(公告)号: | CN103824865B | 公开(公告)日: | 2017-01-25 |
发明(设计)人: | 刘冬妮;吕敬 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括第一电极和绝缘层,其特征在于,所述绝缘层的图形与所述第一电极的图形互补。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括第二电极,所述第一电极与所述第二电极在正投影方向上至少部分重叠;所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层,所述第一绝缘层或所述第二绝缘层图形与所述第一电极的图形互补。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括显示区,所述显示区划分为多个子像素区域,所述子像素区域内设置有薄膜晶体管,所述第一绝缘层设置于所述薄膜晶体管的上方,所述第一电极和所述第二绝缘层设置于所述第一绝缘层的上方,所述第二绝缘层图形与所述第一电极的图形互补。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极,所述第一绝缘层在对应着所述漏极的区域设置有过孔,所述第一电极通过所述过孔与所述漏极电连接。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括数据线和栅线,所述数据线和所述栅线交叉设置于相邻所述子像素区的交界处;所述数据线与所述薄膜晶体管的源极电连接,所述栅线与所述薄膜晶体管的栅极电连接,所述第二绝缘层还覆盖着所述数据线和所述栅线对应着的区域。
6.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括非显示区,所述非显示区环绕在所述显示区之外;所述非显示区内设置有引导电极,所述第一电极和所述第二电极还延伸至所述非显示区,所述引导电极与所述第一电极和所述第二电极层叠设置、且在正投影方向上至少部分重叠。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述引导电极包括扫描信号传输引导电极和数据信号传输引导电极。
8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第一电极在对应着所述子像素区的部分为像素电极,所述像素电极为板状,所述第二绝缘层环绕在所述子像素区除所述像素电极之外的区域;所述第二电极在对应着所述显示区的部分为公共电极,所述公共电极为狭缝状。
9.根据权利要求2-8任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述第二绝缘层采用树脂材料形成,所述第一电极与所述第二绝缘层设置于同一层。
10.一种显示装置,包括阵列基板,其特征在于,所述阵列基板采用权利要求1-9任一项所述的阵列基板。
11.一种阵列基板的制备方法,包括形成第一电极和绝缘层的图形的步骤,其特征在于,所述绝缘层的图形和所述第一电极的图形采用构图工艺形成,且所述绝缘层的图形和所述第一电极的图形采用同一掩模板形成。
12.根据权利要求11所述的制备方法,其特征在于,所述制备方法还包括形成第二电极的图形的步骤,所述第一电极与所述第二电极在正投影方向上至少部分重叠;所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层,所述第一绝缘层或所述第二绝缘层的图形与所述第一电极的图形互补。
13.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的至少一层的图形采用具有负性光刻性质的光阻材料形成;所述构图工艺包括曝光步骤,所述第一电极在曝光步骤中采用具有正性光刻性质的光阻材料形成遮挡层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的