[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示装置

说明书

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备

方法和包括该阵列基板的显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，平板显示装置已取代笨重的CRT显示装置成为主流显示装置。目前，市场上主流的平板显示装置主要包括液晶显示装置（Liquid Crystal Display，简称LCD）和有机电致发光显示装置（Organic Light Emission Display，简称OLED）。

液晶显示装置和有机电致发光显示装置都包括阵列基板，阵列基板中划分为多个子像素区，每一子像素区内都设置有作为控制元件的薄膜晶体管（Thin Film Transistor，简称TFT）和由薄膜晶体管控制供电的电极，其中，薄膜晶体管与电极之间还设置有绝缘层；为了减小段差，它们之间还可以设置平坦保护层。

随着人们对高像素（Pixels Per Inch，每英寸像素数目，简称PPI）显示的需求，促使人们对阵列基板的结构和制备方法进行改进。以液晶显示装置为例，高像素显示的一个典型代表是高级超维场转换技术（ADvanced Super Dimension Switch，简称ADSDS或ADS）。其中，ADS型阵列基板包括像素电极（Pixel）与公共电极（Com），像素电极与公共电极间产生的电场，使液晶盒内的所有液晶分子都能够发生偏转，从而提高了液晶工作效率并增大了视角。

阵列基板中通常还设置有信号线，例如：ADS型阵列基板具有作为显示数据传输的通道的数据线（Data Line）和作为扫描信号选通的通道的栅线（Gate Line），但是，数据线和栅线均会分别与公共电极形成寄生电容而影响信号的传输。为了降低寄生电容，目前通常采用在数据线和栅线与公共电极之间增加绝缘层，例如增加树脂层（Resin）的方法来降低寄生电容，提高产品性能；同时，树脂层的增加，还能提高像素率。

但是，根据目前阵列基板的生产工艺，由于树脂层需要开设通孔以使得处于树脂层下方的薄膜晶体管的电极（栅极、源极和漏极）与处于树脂层上方的电极或导电层连接，因此，需单独形成一块树脂层图形掩模板（Mask）以形成相应的过孔，从而增加了掩模板的成本，相应地增加了生产成本。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种阵列基板及其制备方法和包括该阵列基板的显示装置，该阵列基板中的绝缘层的图形与第一电极的图形互补，段差更小；且绝缘层的图形与第一电极的图形可采用同一掩模板形成，生产成本更低。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是该阵列基板，包括第一电极和绝缘层，其特征在于，所述绝缘层的图形与所述第一电极的图形互补。

优选的是，所述阵列基板还包括第二电极，所述第一电极与所述第二电极在正投影方向上至少部分重叠；所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层或所述第二绝缘层图形与所述第一电极的图形互补。

优选的是，所述阵列基板包括显示区，所述显示区划分为多个子像素区域，所述子像素区域内设置有薄膜晶体管，所述第一绝缘层设置于所述薄膜晶体管的上方，所述第一电极和所述第二绝缘层设置于所述第一绝缘层的上方，所述第二绝缘层图形与所述第一电极的图形互补。

优选的是，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述第一绝缘层在对应着所述漏极的区域设置有过孔，所述第一电极通过所述过孔与所述漏极电连接。

优选的是，所述阵列基板还包括数据线和栅线，所述数据线和所述栅线交叉设置于相邻所述子像素区的交界处；所述数据线与所述薄膜晶体管的源极电连接，所述栅线与所述薄膜晶体管的栅极电连接，所述第二绝缘层还覆盖着所述数据线和所述栅线对应着的区域。

优选的是，所述阵列基板还包括非显示区，所述非显示区环绕在所述显示区之外；所述非显示区内设置有引导电极，所述第一电极和所述第二电极还延伸至所述非显示区，所述引导电极与所述第一电极和所述第二电极层叠设置、且在正投影方向上至少部分重叠。

优选的是，所述引导电极包括扫描信号传输引导电极和数据信号传输引导电极。

优选的是，所述第一电极在对应着所述子像素区的部分为像素电极，所述像素电极为板状，所述第二绝缘层环绕在所述子像素区除所述像素电极之外的区域；所述第二电极在对应着所述显示区的部分为公共电极，所述公共电极为狭缝状。

优选的是，所述第二绝缘层采用树脂材料形成，所述第一电极与所述第二绝缘层设置于同一层。

一种显示装置，包括阵列基板，所述阵列基板采用上述的阵列基板。