[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体基板；

第一膜，形成在上述半导体基板上；

第一导电型或本征型的第一半导体层，形成在上述第一膜上；

上述第一导电型或本征型的第二半导体层，形成在上述第一半导体层上；以及

第二导电型的第三半导体层，具有与上述第一半导体层相接的第一上部、与上述第一膜相接的第二上部、位于上述第一上部与上述第二上部之间的第一侧部、以及位于上述第二上部与上述半导体基板的下部之间的第二侧部。

2.如权利要求1所述的半导体装置，

上述第三半导体层具备：

第一层，具有上述第一上部和上述第一侧部；以及

第二层，具有上述第二上部和上述第二侧部，由与上述第一层不同的材料形成。

3.如权利要求2所述的半导体装置，

上述第一层是第一化合物半导体层，

上述第二层是由与上述第一化合物半导体层不同的材料形成的第二化合物半导体层。

4.如权利要求3所述的半导体装置，

上述第一化合物半导体层含有镓以及氮，

上述第二化合物半导体层含有铝、镓、以及氮。

5.如权利要求2所述的半导体装置，

上述第二层的带隙比上述第一层的带隙大。

6.如权利要求2所述的半导体装置，

上述第二层包括：

第一部分，位于上述第一上部与上述半导体基板的上部之间；以及

第二部分，位于上述半导体基板的上部与上述半导体基板的下部之间。

7.如权利要求1所述的半导体装置，

上述第三半导体层的上述第一上部、上述第二上部、上述第一侧部、以及上述第二侧部由相同的材料形成。

8.如权利要求7所述的半导体装置，

上述第三半导体层是化合物半导体层。

9.如权利要求8所述的半导体装置，

上述化合物半导体层至少含有镓以及氮。

10.如权利要求1所述的半导体装置，

上述第三半导体层具备：

第一层，具有上述第一上部、上述第一侧部、以及上述第二侧部；以及

第二层，具有上述第二上部，由与上述第一层不同的材料形成。

11.如权利要求10所述的半导体装置，

上述第二层由与上述半导体基板相同的半导体材料形成，并且含有上述第二导电型的杂质。

12.如权利要求1所述的半导体装置，

上述第三半导体层具备：

第一层，具有上述第一上部和上述第一侧部；

第二层，具有上述第二侧部，由与上述第一层不同的材料形成；以及

第三层，具有上述第二上部，由与上述第一层以及第二层不同的材料形成。

13.如权利要求12所述的半导体装置，

上述第二层包括：

第一部分，位于上述第一上部与上述半导体基板的上部之间；以及

第二部分，位于上述半导体基板的上部与上述半导体基板的下部之间。

14.如权利要求1所述的半导体装置，

还具备在上述第二上部与上述半导体基板的下部之间以与上述第三半导体层相接的方式形成的第一绝缘膜。

15.如权利要求14所述的半导体装置，

还具备在上述半导体基板的下部以覆盖上述第三半导体层和上述第一绝缘膜的方式形成的第二绝缘膜。

16.如权利要求1所述的半导体装置，

上述第二上部附近的由上述第二侧部包围的区域的面积是，大于等于上述第二上部附近的由上述第一侧部包围的区域的面积的2倍。