[发明专利]固体摄像装置的制造方法以及固体摄像装置在审
申请号: | 201410052699.6 | 申请日: | 2014-02-17 |
公开(公告)号: | CN104347648A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 芦立浩明 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 杨谦;胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 制造 方法 以及 | ||
1.一种固体摄像装置的制造方法,包括以下步骤:
在第一导电型的半导体层上矩阵状地二维排列第二导电型的半导体区域,来形成多个光电转换元件,
通过以划分所述半导体层的方式形成俯视格子状的槽,来将所述光电转换元件整形为俯视矩形形状,
将被整形为俯视矩形形状的所述光电转换元件整形为角的数量比矩形多的俯视凸多边形形状,
在被绝缘膜覆盖了所述槽的内周面之后,在被该绝缘膜覆盖的槽中设置遮光部件,来形成元件分离区域。
2.根据权利要求1所述的固体摄像装置的制造方法,包括以下步骤:
利用使用了碱性药液的各向异性湿法刻蚀,将所述光电转换元件整形为所述俯视凸多边形形状。
3.根据权利要求2所述的固体摄像装置的制造方法,包括以下步骤:
通过形成所述槽,使所述光电转换元件中的密勒指数为[100]的面和与密勒指数[100]等效的面露出,
通过进行所述各向异性湿法刻蚀,使所述光电转换元件中的密勒指数为[110]的面和与密勒指数[110]等效的面露出。
4.根据权利要求1所述的固体摄像装置的制造方法,包括以下步骤:
利用各向同性干法刻蚀,将所述光电转换元件整形为所述俯视矩形形状。
5.根据权利要求1所述的固体摄像装置的制造方法,
所述俯视凸多边形形状是俯视八边形形状。
6.根据权利要求1所述的固体摄像装置的制造方法,
所述槽的底面是密勒指数为[111]的面。
7.一种固体摄像装置,具备:
第一导电型的半导体层;
多个光电转换元件,由在所述半导体层上矩阵状地二维排列的第二导电型的半导体区域形成,形成为角的数量比矩形多的俯视凸多边形形状;以及
元件分离区域,被设置成划分所述半导体层,并具有与所述光电转换元件之间的界面被绝缘膜覆盖的遮光部件。
8.根据权利要求7所述的固体摄像装置,
所述光电转换元件被形成为俯视八边形形状,对从所述光电转换元件的与设置有布线层的一侧相反的一侧的受光面入射的光进行光电转换。
9.根据权利要求7所述的固体摄像装置,
俯视凸多边形形状的所述光电转换元件具备密勒指数为[100]的侧面、与密勒指数[100]等效的侧面、密勒指数为[110]的侧面以及与密勒指数[110]等效的侧面。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的