[发明专利]固体摄像装置的制造方法以及固体摄像装置在审
申请号: | 201410052699.6 | 申请日: | 2014-02-17 |
公开(公告)号: | CN104347648A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 芦立浩明 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 杨谦;胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 制造 方法 以及 | ||
技术领域
本发明的实施方式涉及一种固体摄像装置的制造方法以及固体摄像装置。
背景技术
以前,数字摄像机或带摄像机功能的便携式终端等电子设备具备具有固体摄像装置的摄像机组件。固体摄像装置具备对应于摄像图像的各像素矩阵状地二维排列的多个光电转换元件。各光电转换元件将入射光光电转换成与受光量相应的量的电荷,并作为表示各像素亮度的信号电荷进行累积。
另外,在各光电转换元件之间设置有将光电转换元件彼此之间电气性地进行元件分离的元件分离区域。例如,通过在形成有多个光电转换元件的半导体层上形成以俯视矩形形状包围各光电转换元件的格子状的槽(沟),并在槽的内部填充绝缘材料,来形成元件分离区域。
元件分离用的槽一般利用RIE(Reactive Ion Etching:反应离子刻蚀技术)来形成。但是,在利用RIE形成的槽的表面有时会产生悬空键,因悬空键而产生的电子,与入射的光的有无无关地产生,因此,就会在摄像图像中出现白色缺陷,成为画质变差的原因。
发明内容
本发明所要解决的问题在于提供一种能降低暗电流的固体摄像装置的制造方法以及固体摄像装置。
一个实施方式的固体摄像装置的制造方法的特征在于,包括以下步骤:通过在第一导电型的半导体层上矩阵状地二维排列第二导电型的半导体区域,来形成多个光电转换元件,通过以划分所述半导体层的方式形成俯视格子状的槽,来将所述光电转换元件整形为俯视矩形形状,将已被整形为俯视矩形形状的所述光电转换元件整形为角的数量比矩形多的俯视凸多边 形形状,在由绝缘膜覆盖了所述槽的内周面之后,在被该绝缘膜覆盖的槽中设置遮光部件而形成元件分离区域。
另外的实施方式的固体摄像装置的特征在于,具备:第一导电型的半导体层;多个光电转换元件,由在所述半导体层上矩阵状地二维排列的第二导电型的半导体区域形成,形成为角的数量比矩形多的俯视凸多边形形状;以及元件分离区域,所述元件分离区域被设置成划分所述半导体层,并具有与所述光电转换元件之间的界面被绝缘膜覆盖的遮光部件。
发明效果
根据上述结构的固体摄像装置的制造方法以及固体摄像装置,能降低暗电流。
附图说明
图1是示出具备实施方式涉及的固体摄像装置的数字摄像机的概略结构的框图。
图2是示出实施方式涉及的固体摄像装置的概略结构的框图。
图3是示出实施方式涉及的在像素阵列中排列的光电转换元件的俯视形状的说明图。
图4是模式地示出沿图3所示的A-A'线剖开的截面的说明图。
图5是示出实施方式涉及的固体摄像装置的制造工序的截面模式图。
图6是示出实施方式涉及的固体摄像装置的制造工序的截面模式图。
图7是示出实施方式涉及的固体摄像装置的制造工序的截面模式图。
图8是在表面照射型图像传感器中采用了实施方式涉及的光电转换元件和元件分离区域结构的情况下的说明图。
具体实施方式
以下,参照附图,详细地说明实施方式涉及的固体摄像装置的制造方法以及固体摄像装置。再有,本发明并不限定于该实施方式。
图1是示出具备实施方式涉及的固体摄像装置14的数字摄像机1的概略结构的框图。如图1所示,数字摄像机1具备摄像机组件11和后段处理部12。
摄像机组件11具备摄像光学系统13和固体摄像装置14。摄像光学系 统13取入来自被摄体的光,并使被摄体像成像。固体摄像装置14对由摄像光学系统13成像的被摄体像进行摄像,并向后段处理部12输出摄像所得的图像信号。除了数字摄像机1以外,这样的摄像机组件11还适用于例如带摄像机的便携式终端等电子设备。
后段处理部12具备ISP(Image Signal Processor:图像信号处理器)15、存储部16和显示部17。ISP15进行从固体摄像装置14输入的图像信号的信号处理。这样的ISP15进行例如噪声去除处理、缺陷像素修正处理、分辨率转换处理等高画质化处理。
然后,ISP15将信号处理后的图像信号输出到存储部16、显示部17和摄像机组件11内的固体摄像装置14所具备的后述的信号处理电路21(参照图2)。从ISP15向摄像机组件11反馈的图像信号被用于固体摄像装置14的调整或控制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的