[发明专利]一种基于分块DRAM的低功耗刷新方法

权利要求书

1.一种基于分块DRAM的低功耗刷新方法，所述DRAM芯片包括N个可以独立进行周期刷新操作的块，所述N≥1，所述N个块均具有相对应的最差存储单元和保持时间，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，当所述DRAM处于繁忙状态时，所述DRAM的刷新周期为T_refresh0；

步骤2，当所述DRAM处于非繁忙状态时，选取所述DRAM芯片中N个块的某一保持时间T_refresh1，所述T_refresh1大于T_refresh0，在保持时间T_refresh1下，存在最差存储单元的L个块分别记作块L_0，块L_1，……，块L_L-1（0<L≤N）；

步骤3，关闭所述DRAM芯片中的L个块。

2.如权利要求1所述的基于分块DRAM的低功耗刷新方法，其特征在于，所述步骤3中还包括将剩余N-L个块的刷新时间可以提升至T_refresh1。

3.如权利要求2所述的基于分块DRAM的低功耗刷新方法，其特征在于，所述L个块是连续分布或离散分布的。

4.如权利要求3所述的基于分块DRAM的低功耗刷新方法，其特征在于，当对所述DRAM存取功耗接近或小于所述DRAM自身刷新功耗，那么所述DRAM处于非繁忙状态。

5.如权利要求4所述的基于分块DRAM的低功耗刷新方法，其特征在于，开启或者关闭所述DRAM芯片中的块以及关闭块的数量是由操作系统发送配置信息至所述DRAM芯片完成的。

6.如权利要求1所述的基于分块DRAM的低功耗刷新方法，其特征在于，所述DRAM中还包括非易失性存储器模块。

7.如权利要求6所述的基于分块DRAM的低功耗刷新方法，其特征在于，所述步骤2为当所述DRAM处于非繁忙状态时，在某一保持时间T_refresh2下最差存储单元数最多的L个块(0<L≤N)分别记作块L_0，块L_1，……，块L_L-1，所述T_refresh2＞T_refresh1＞T_refresh0。

8.如权利要求7所述的基于分块DRAM的低功耗刷新方法，其特征在于，所述步骤3中还包括将剩余N-L个块中保持时间低于T_refresh2的DRAM存储单元转存至非易失性存储器中，重新配置所述DRAM的刷新周期为T_refresh2。

9.如权利要求8所述的基于分块DRAM的低功耗刷新方法，其特征在于，所述T_refresh1或T_refresh2的选取是在所述DRAM刷新功耗和所述DRAM性能上的折中。