[发明专利]一种成分梯度的一维NixFe3-xO4磁性纳米线的制备方法

权利要求书

1.一种成分梯度的一维Ni_xFe_3-xO₄磁性纳米线的制备方法，所述方法为：

FeCl₃和NiCl₂分别研磨成粉末，FeCl₃和NiCl₂按物质的量之比为1.5：1混合均匀，作为反应前驱体放于瓷舟中，然后将瓷舟放入管式炉的加热区，基体放入管式炉的不加热区，所述基体为SiO₂/Si基体；所述SiO₂/Si基体为覆盖有SiO₂膜的硅片；所述基体与反应前驱体的距离为6-9cm；调节管式炉加热区的温度达到800～1000℃，并向管式炉内通入载气，载气的方向由加热区入口吹向不加热区出口；所述载气是含有体积分数2～5%的氧气的氮气；载气流速为30～60mL/min，保温2～3h，然后将管式炉冷却至室温，将基体取出，基体表面有均匀的暗灰色薄膜，即制得成分梯度的一维Ni_xFe_3-xO₄纳米线，所述Ni_xFe_3-xO₄纳米线中，x=0.2-0.5。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述管式炉冷却时，载气持续通入。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述基体与反应前驱体的连线与管式炉方向平行。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述基体为覆盖有SiO₂膜的硅片，所述覆盖有SiO₂膜的硅片按以下方法得到：将硅片分别依次用丙酮、乙醇和去离子水中超声处理10～15min，用高纯氮气吹干后，将干燥的硅片浸没于体积比为1：1：5的30wt%双氧水、37wt%盐酸和水的混合溶液中，70～80℃处理20～30min，然后取出用高纯氮气吹干，制得表面覆盖有40～100nm厚度SiO₂膜的硅片。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述管式炉加热区的温度为1000℃。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述载气流速为60mL/min。