[发明专利]去除铝残余缺陷的方法

权利要求书

1.一种去除铝残余缺陷的方法，包括：

提供铝垫制备完成后出现铝残余缺陷的基片，所述基片包括含有半导体芯片的基底、沉积于所述基底上的铝垫以及残留于所述基底表面的铝残余缺陷；

在所述铝垫的侧壁形成一保护层；

在所述铝垫表面形成一光刻胶层；

以所述保护层和所述光刻胶层为掩膜，去除所述铝残余缺陷。

2.根据权利要求1所述的去除铝残余缺陷的方法，其特征在于，所述的在所述铝垫的侧壁形成一保护层包括：

在整个所述基片表面沉积一保护层，以覆盖所述基底的表面、所述铝残余缺陷的表面、所述铝垫的表面和所述铝垫的侧壁；

采用干法蚀刻的方法去除所述基底表面、所述铝残余缺陷表面和所述铝垫表面的保护层，并保留覆盖于所述铝垫侧壁的保护层。

3.根据权利要1所述的去除铝残余缺陷的方法，其特征在于，所述的在所述铝垫表面形成一光刻胶层包括：

在整个所述基片表面涂覆光刻胶层，并对所述光刻胶层进行光刻和显影以去除所述基底和铝残余缺陷表面的光刻胶层，保留铝垫表面的光刻胶层。

4.根据权利要求1所述的去除铝残余缺陷的方法，其特征在于，在去除所述铝残余缺陷之后还包括：

去除所述铝垫表面的光刻胶层。

5.根据权利要求4所述的去除铝残余缺陷的方法，其特征在于：

采用灰化的方法去除所述铝垫表面的光刻胶层。

6.根据权利要求2所述的去除铝残余缺陷的方法，其特征在于：

所述保护层材料为钛和氮化钛。

7.根据权利要求6所述的去除铝残余缺陷的方法，其特征在于：

采用物理气相沉积PVD方法进行所述保护层的沉积，采用PVD方法时，以钛Ti为靶材，功率为5850～7150W，反应腔室压力为400～500mTorr，温度为25～35℃，通入Ar和N₂轰击所述Ti靶材，其中Ar的流量为45～55sccm，N2的流量为90～110sccm，所沉积的保护层的厚度为500～600埃。

8.根据权利要求6所述的去除铝残余缺陷的方法，其特征在于：

所述干法蚀刻采用反应离子刻蚀RIE方法进行，所述RIE采用CF₄、CHF₃和N₂气体进行刻蚀，其中，CF₄流量为70～90sccm、CHF₃流量为25～40sccm、N₂流量为45～55sccm，功率为900～1100W，刻蚀的腔体气体压力为65～95mTorr。

9.根据权利要求6所述的去除铝残余缺陷的方法，其特征在于：

采用湿法蚀刻的方法，去除所述铝残余缺陷。

10.根据权利要求9所述的去除铝残余缺陷的方法，其特征在于：

所述湿法蚀刻中，采用四甲基氢氧化铵碱性溶液作为刻蚀剂，所述四甲基氢氧化铵碱性溶液的浓度为2.37～2.39%，湿法刻蚀反应温度为20～25℃，反应时间为2～15分钟。