[发明专利]去除铝残余缺陷的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术，特别涉及一种制造铝垫（Al Pad）过程中去除铝残余缺陷的方法。

背景技术

在半导体产品生产的铝垫制造过程中，经常遇到铝残余缺陷问题，不能通过OQA（Outgoing Quality Assurance，产品出货检查）检测标准，进而无法达到出厂要求。

如图5所示，现有技术中，铝垫的制造是在包含有半导体芯片的基底1上进行的，而在前序工艺中，由于生产环境等因素的影响会在铝垫7制造之后在半导体芯片的基底1的表面出现铝残余缺陷8。

图1至图4示例出一种产生铝残余缺陷的实验过程示意图。

如图1所示，在制造铝垫时，首先在包含有半导体芯片的基底1上涂覆一第一光刻胶（PR）层2并进行显影。该过程中，周围环境中的颗粒3会附着在第一光刻胶层2上。

如图2所示，去除第一光刻胶层2。在去除第一光刻胶层2时，由于颗粒3的影响，使得颗粒3所在位置的第一光刻胶层2没有完全的去处，而在基底1的表面对应于颗粒3的位置形成了光刻胶残余2’。

如图3所示，在基底1表面沉积金属铝层5。因为基底1的表面形成有光刻胶残余2’，所以沉积的金属铝层5也同时将光刻胶残余2’覆盖。

如图4所示，对金属铝层5进行刻蚀，以去除基底1表面的金属铝层5。

因为光刻胶残余2’的存在使得在去除金属铝层5的过程中，位于所述光刻胶残余2’周围的铝受到光刻胶残余2’的影响而没有彻底的去处，进而在光刻胶残余2’的位置处（最初颗粒3所在处）形成铝残余缺陷8。

上述过程仅作为一种形成铝残余缺陷的实验过程示说明，在实际生产过程中，会由于多种原因而在基底1表面形成铝残余缺陷，此处不进行一一列举。

在实际生产过程中，铝残余缺陷8的产生是伴随者铝垫的形成而形成的，所以，当在铝垫（图1至图4未示出）形成后，同时会在包含有半导体芯片的基底表面出现铝残余缺陷。

铝残余缺陷8的出现会影响器件的使用，不能通过OQA检测标准，进而无法达到出厂要求，因此需要一种方法以去除所述铝残余缺陷，同时不能影响所制成的铝垫（图1至图4中未示出）受到破坏。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种去除铝残余缺陷的方法，以去除制造铝垫过程中所产生的铝残余缺陷。

本申请的技术方案是这样实现的：

一种去除铝残余缺陷的方法，包括：

提供铝垫制备完成后出现铝残余缺陷的基片，所述基片包括含有半导体芯片的基底、沉积于所述基底上的铝垫以及残留于所述基底表面的铝残余缺陷；

在所述铝垫的侧壁形成一保护层；

在所述铝垫表面形成一光刻胶层；

以所述保护层和所述光刻胶层为掩膜，去除所述铝残余缺陷。

进一步，所述的在所述铝垫的侧壁形成一保护层包括：

在整个所述基片表面沉积一保护层，以覆盖所述基底的表面、所述铝残余缺陷的表面、所述铝垫的表面和所述铝垫的侧壁；

采用干法蚀刻的方法去除所述基底表面、所述铝残余缺陷表面和所述铝垫表面的保护层，并保留覆盖于所述铝垫侧壁的保护层。

进一步，所述的在所述铝垫表面形成一光刻胶层包括：

在整个所述基片表面涂覆光刻胶层，并对所述光刻胶层进行光刻和显影以去除所述基底和铝残余缺陷表面的光刻胶层，保留铝垫表面的光刻胶层。

进一步，在去除所述铝残余缺陷之后还包括：

去除所述铝垫表面的光刻胶层。

进一步，采用灰化的方法去除所述铝垫表面的光刻胶层。

进一步，所述保护层材料为钛和氮化钛。

进一步，采用物理气相沉积PVD方法进行所述保护层的沉积，采用PVD方法时，以钛Ti为靶材，功率为5850～7150W，反应腔室压力为400～500mTorr，温度为25～35℃，通入Ar和N₂轰击所述Ti靶材，其中Ar的流量为45～55sccm，N2的流量为90～110sccm，所沉积的保护层的厚度为500～600埃。

进一步，所述干法蚀刻采用反应离子刻蚀RIE方法进行，所述RIE采用CF₄、CHF₃和N₂气体进行刻蚀，其中，CF₄流量为70～90sccm、CHF₃流量为25～40sccm、N₂流量为45～55sccm，功率为900～1100W，刻蚀的腔体气体压力为65～95mTorr。