[发明专利]膜状胶粘剂、带有膜状胶粘剂的切割胶带、半导体装置的制造方法、及半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及膜状胶粘剂、带有膜状胶粘剂的切割胶带、半导体装置的制造方法、及半导体装置。

背景技术

在半导体装置的制造中，关于将半导体元件与金属引线框等粘接的方法(所谓的芯片接合法)，从以往的金-硅共晶起始发展为利用焊料、树脂糊剂方法。现在正在利用使用导电性树脂糊剂的方法。

但是，使用树脂糊剂的方法存在如下问题：由于孔隙导致导电性下降，或者树脂糊剂的厚度不均一，由于树脂糊剂的挤出而导致焊盘受到污染。为了解决这些问题，有时使用膜状胶粘剂代替树脂糊剂。

例如，专利文献1中提出了一种胶粘膜，所述胶粘膜通过配合特定的聚酰亚胺树脂，从而能够在低温下进行芯片接合时的热处理。另外，专利文献2中提出了一种胶粘膜，所述胶粘膜通过配合玻璃化转变温度为-10～50℃的丙烯酸共聚物等来赋予挠性，且作业性良好。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平6-145639号公报

专利文献2：日本专利第4137827号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，出于增加容量的目的，近年来的半导体装置已轻薄短小化，单片化前的半导体元件(半导体晶片)的厚度为100μm以下，非常薄，因此半导体晶片易翘曲，其操作也难。

专利文献2的胶粘膜由于使用了玻璃化转变温度为-10℃以上的丙烯酸共聚物，因此弹性模量高，为了与半导体晶片牢固地粘贴，需要在高温下进行粘贴。但是，若在高温下进行粘贴，则由于其热，因此半导体晶片会发生翘曲。另外，专利文献2中对于半导体晶片的操作性进行了研究。另外，专利文献2中由于单独对半导体芯片进行拾取，因此也存在产生芯片破裂、芯片缺损的可能性。

本发明的目的在于，解决上述课题，提供可以防止对半导体晶片的热影响、可以抑制半导体晶片的翘曲的膜状胶粘剂、带有膜状胶粘剂的切割胶带及半导体装置的制造方法。

用于解决课题的方法

本发明涉及一种膜状胶粘剂，其含有热塑性树脂及导电性粒子，所述膜状胶粘剂在40℃下粘贴于镜面硅晶片后，在25℃下测定的密合力为0.5N/10mm以上。所述膜状胶粘剂由于可以在40℃左右的低温下与半导体晶片良好地进行粘接，因此不需要在高温下进行粘贴。因此，可以防止对半导体晶片的热影响、可以抑制半导体晶片的翘曲。

所述热塑性树脂的玻璃化转变温度优选为-40～-10℃。由此，可以良好地得到低温粘贴性。

所述膜状胶粘剂优选含有固化性树脂。由此，可以提高热稳定性。

所述固化性树脂优选含有在25℃下为固态的固化性树脂及在25℃下为液态的固化性树脂，且在25℃下为固态的固化性树脂的重量/在25℃下为液态的固化性树脂的重量所表示的重量比率为49/51～10/90。由此，可以良好地得到低温粘贴性。

所述膜状胶粘剂的厚度优选为5～100μm。由此，与半导体晶片等的粘接面积稳定。另外，可以抑制膜状胶粘剂的挤出。

25℃下的储能模量优选为5MPa以上。由此，可以良好地进行拾取。

所述膜状胶粘剂优选作为芯片贴装膜而被使用。

本发明还涉及一种带有膜状胶粘剂的切割胶带，其中，在切割胶带上层叠有所述膜状胶粘剂。

若在半导体装置的制造中使用所述带有膜状胶粘剂的切割胶带，则可以对粘贴于带有膜状胶粘剂的切割胶带的状态的半导体晶片进行操作，因此可以减少对半导体晶片单体进行操作的机会。因此，即使是近年来的薄型半导体晶片，也可以良好地进行操作。另外，在使用所述带有膜状胶粘剂的切割胶带的情况下，是将半导体晶片粘贴于膜状胶粘剂，由于使用了所述膜状胶粘剂，因此可以抑制半导体晶片的翘曲。

就所述带有膜状胶粘剂的切割胶带而言，在剥离温度为25℃、剥离速度为300mm/min的条件下，从所述切割胶带剥离所述膜状胶粘剂时的剥离力优选为0.01～3.00N/20mm。由此，可以防止芯片飞散，并且可以良好地进行拾取。

本发明还涉及一种半导体装置的制造方法，其包括使用所述膜状胶粘剂将半导体芯片贴装于被粘物的工序。

本发明还涉及一种半导体装置，其通过所述制造方法而得到。

发明效果

根据本发明，可以在40℃左右的低温下将膜状胶粘剂粘贴于半导体晶片，因此可以防止对半导体晶片的热影响、可以抑制半导体晶片的翘曲。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式所涉及的带有膜状胶粘剂的切割胶带的剖面示意图。