[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、TFT阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

形成半导体有源层和掺杂半导体有源层的步骤；

形成源漏金属层的步骤；

形成沟道区域的步骤；

在形成沟道区域的步骤之后，通过离子注入的方式，在所述沟道区域内的半导体有源层表面注入用于降低TFT漏电流的离子的步骤。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述离子为N离子、C离子或H离子。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，具体包括：

在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺，得到栅极图形；

在栅极上沉积栅绝缘层、半导体有源层和掺杂半导体有源层和源漏金属层，通过构图工艺得到沟道区域以及源电极、漏电极的图形，并在源电极、漏电极的图形上的光刻胶剥离之前、通过离子注入的方式，在所述沟道区域内的半导体有源层表面注入用于降低TFT漏电流的离子。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，具体包括：

在基板上沉积源漏金属层，通过构图工艺得到源电极、漏电极的图形；

在源电极、漏电极上形成掺杂半导体有源层和半导体有源层，通过构图工艺形成沟道区域；

通过离子注入的方式，在所述沟道区域内的半导体有源层表面注入用于降低TFT漏电流的离子。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述离子注入方式，所采用的注入离子能量为20KV～80KV。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述离子注入方式，所注入的离子剂量为2*10¹⁷/cm²～5*10¹⁸/cm²。

7.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管采用如权利要求1-6中任一项所述的薄膜晶体管的制作方法制作得到。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述离子为N离子时，所述半导体有源层注入离子部分所包含的Si、H、N的含量分别为30%～50%，4%～15%，35%～60%。

9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述离子为C离子时，所述半导体有源层注入离子部分所包含的Si、H、C的含量分别为30%～50%，4%～15%，40%～60%。

10.一种TFT阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括如权利要求7-9所述的薄膜晶体管。

11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求10所述的TFT阵列基板。