[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、TFT阵列基板、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、TFT阵列基板、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD），具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。其中显示画面均匀、高解析度、无窜扰等是高品质TFT-LCD的关键要求，而与此有关的是TFT的电性参数-漏电流（Ioff），漏电流是TFT的一个重要参数，若其过大，则影响TFT的开关特性，从而导致TFT-LCD出现显示不均、发白、窜扰等显示类缺陷。

目前设计的非晶硅TFT-LCD各类产品，采用背沟道刻蚀技术后，沟道区域表层为非晶硅层，此区域的膜质如果有问题，TFT的性能就会有较大影响。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供一种TFT阵列基板制作方法，改善沟道区域膜质成分，其他膜层区域不受影响。

为了达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

形成半导体有源层和掺杂半导体有源层的步骤；

形成源漏金属层的步骤；

形成沟道区域的步骤；

在形成沟道区域的步骤之后，通过离子注入的方式，在所述沟道区域内的半导体有源层表面注入用于降低TFT漏电流的离子的步骤。

进一步的，所述离子为N离子、C离子或H离子。

进一步的，具体包括：

在基板上沉积栅金属层，通过构图工艺，得到栅极图形；

在栅极上沉积栅绝缘层、半导体有源层和掺杂半导体有源层和源漏金属层，通过构图工艺得到沟道区域以及源电极、漏电极的图形，并在源电极、漏电极的图形上的光刻胶剥离之前、通过离子注入的方式，在所述沟道区域内的半导体有源层表面注入用于降低TFT漏电流的离子。

进一步的，具体包括：

在基板上沉积源漏金属层，通过构图工艺得到源电极、漏电极的图形；

在源电极、漏电极上形成掺杂半导体有源层和半导体有源层，通过构图工艺形成沟道区域；

通过离子注入的方式，在所述沟道区域内的半导体有源层表面注入用于降低TFT漏电流的离子。

进一步的，所述离子注入方式，所采用的注入离子能量为20KV～80KV。

进一步的，所述离子注入方式，所的注入离子剂量为2*10¹⁷/cm²～5*10¹⁸/cm²。

本发明还提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管采用上述的薄膜晶体管的制作方法制作得到。

进一步的，所述离子为N离子时，所述离子为N离子时，所述半导体有源层注入离子部分所包含的Si、H、N的含量分别为30%～50%，4%～15%，35%～60%。

进一步的，所述离子为C离子时，所述半导体有源层注入离子部分所包含的Si、H、C的含量分别为30%～50%，4%～15%，40%～60%。

本发明还提供一种TFT阵列基板，所述阵列基板包括上述的薄膜晶体管。

本发明还提供一种显示装置，所述显示装置包括上述的TFT阵列基板。

本发明的有益效果是：通过在沟道区域内注入用于降低TFT漏电流的离子，提升TFT电学性能，并且可控的改变沟道区域半导体有源层的厚度。

附图说明

图1表示本发明TFT阵列基板形成公共电极图形后的结构示意图；

图2表示本发明TFT阵列基板形成栅极图形后的结构示意图；

图3表示本发明TFT阵列基板形成沟道区域后的结构示意图；

图4表示本发明TFT阵列基板在沟道区域内注入离子示意图；

图5表示本发明TFT阵列基板形成钝化层后的结构示意图；

图6表示本发明TFT阵列基本形成像素电极图形后的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明特征和原理进行详细说明，所举实施例仅用于解释本发明，并非以此限定本发明的保护范围。

本实施例提供一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

形成半导体有源层和掺杂半导体有源层的步骤；

形成源漏金属层的步骤；

形成沟道区域的步骤；

在形成沟道区域的步骤之后，通过离子注入的方式，在所述沟道区域内的半导体有源层表面注入用于降低TFT漏电流的离子的步骤。