[发明专利]绝缘栅型场效应晶体管及该晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种绝缘栅型场效应晶体管，其特征在于，具有：

半导体衬底，其具有漏极区域、源极区域、沟道区域以及将所述沟道区域分割成所述漏极区域侧的第1沟道区域及所述源极区域侧的第2沟道区域的绝缘槽；

栅极电极，其具有在所述半导体衬底形成所述第1沟道区域的第1栅极电极部、及在所述半导体衬底形成所述第2沟道区域的第2栅极电极部；

栅极绝缘膜，其位于所述半导体衬底和所述栅极电极之间，将所述漏极区域及所述源极区域与所述栅极电极绝缘；以及

导电部件，其由作为所述绝缘槽的所述漏极区域侧的端面的漏极侧端面和作为所述绝缘槽的所述源极区域侧的端面的源极侧端面支承，且当达到规定温度以上时被切断。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅型场效应晶体管，其特征在于，

所述第1栅极电极部向所述源极区域侧形成至所述漏极侧端面的位置，

所述第2栅极电极部向所述漏极区域侧形成至所述源极侧端面的位置。

3.根据权利要求1所述的绝缘栅型场效应晶体管，其特征在于，

所述导电部件由作为所述漏极侧端面的所述栅极绝缘膜侧的开口部和作为所述源极侧端面的所述栅极绝缘膜侧的开口部支承。

4.根据权利要求2所述的绝缘栅型场效应晶体管，其特征在于，

所述导电部件由作为所述漏极侧端面的所述栅极绝缘膜侧的开口部和作为所述源极侧端面的所述栅极绝缘膜侧的开口部支承。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的绝缘栅型场效应晶体管，其特征在于，

还具有树脂部，

所述栅极绝缘膜具有膜分割部，

所述膜分割部以所述导电部件为底面，并形成为对所述栅极绝缘膜的所述第1栅极电极部侧的部分和所述第2栅极电极部侧的部分进行分割的槽，

所述树脂部由所述膜分割部的所述源极区域侧的端面及所述膜分割部的所述漏极区域侧的端面支承，并当所述导电部件达到所述规定温度以上时熔融，

所述导电部件被熔融的所述树脂部切断。

6.根据权利要求5所述的绝缘栅型场效应晶体管，其特征在于，

对于所述导电部件而言，所述漏极侧端面侧的端部与所述源极侧端面侧的端部之间的中间部的厚度比所述漏极侧端面侧的端部及所述源极侧端面侧的端部的厚度小。

7.一种绝缘栅型场效应晶体管的制造方法，其特征在于，其是权利要求1至4中任意一项所述的绝缘栅型场效应晶体管的制造方法，具备：

在所述半导体衬底的衬底材料形成凹部的工序；

在所述凹部的内部直至比所述凹部的开口部更低的位置形成定位部的工序；

在所述定位部的表面形成所述导电部件的工序；

在所述衬底材料形成所述漏极区域及所述源极区域的工序；

在所述漏极区域、所述源极区域以及所述导电部件的表面形成所述栅极绝缘膜，而形成所述半导体衬底的工序；以及

从所述半导体衬底除去所述定位部的工序。