[发明专利]绝缘栅型场效应晶体管及该晶体管的制造方法

说明书

本发明基于2013年2月22日提出的日本专利申请No.2013-033181号的优先权，其包括说明书、附图和摘要，通过引用其全部内容在此被编入本发明。

技术领域

本发明涉及绝缘栅型场效应晶体管以及该晶体管的制造方法。

背景技术

日本特开2007-96034号公报所记载的绝缘栅型场效应晶体管具有P型的半导体衬底。半导体衬底在表面形成有N型的漏极区域和N型的源极区域。在形成在漏极区域和源极区域之间的沟道区域的表面隔着栅极绝缘膜形成有栅极电极。

对绝缘栅型场效应晶体管而言，例如当供给过大的电流或电压等而发生异常时，有可能产生漏极端子和源极端子之间发生短路的所谓短路故障。若绝缘栅型场效应晶体管产生短路故障，则会通过晶体管向其他设备供给持续功率。因此，对其他设备的影响变大。

发明内容

本发明的目的之一在于提供一种能够抑制短路故障的产生的绝缘栅型场效应晶体管、以及该晶体管的制造方法。

作为本发明的一方式的绝缘栅型场效应晶体管具有：半导体衬底，其具有漏极区域、源极区域、沟道区域、以及将上述沟道区域分割成上述漏极区域侧的第1沟道区域及上述源极区域侧的第2沟道区域的绝缘槽；栅极电极，其具有在上述半导体衬底形成上述第1沟道区域的第1栅极电极部、及在上述半导体衬底形成上述第2沟道区域的第2栅极电极部；栅极绝缘膜，其位于上述半导体衬底和上述栅极电极之间，将上述漏极区域及上述源极区域与上述栅极电极绝缘；导电部件，其由作为上述绝缘槽的上述漏极区域侧的端面的漏极侧端面和作为上述绝缘槽的上述源极区域侧的端面的源极侧端面支承，且当达到规定温度以上时被切断。

对于上述方式的绝缘栅型场效应晶体管而言，导电部件由漏极侧端面和源极侧端面支承。即，由导电部件连接第1沟道区域和第2沟道区域。因此，当因绝缘栅型场效应晶体管产生异常等从而使导电部件达到规定温度以上时，隔断漏极端子和源极端子之间的导通。因此，能够抑制短路故障的产生。

在上述方式的绝缘栅型场效应晶体管中，也可以构成为：上述第1栅极电极部向上述源极区域侧形成至上述漏极侧端面的位置，上述第2栅极电极部向上述漏极区域侧形成至上述源极侧端面的位置。

上述方式的绝缘栅型场效应晶体管，第1栅极电极部向源极区域侧形成至漏极侧端面的位置。因此，第1沟道区域被形成至漏极侧端面为止。另外，第2栅极电极部向漏极区域侧形成至源极侧端面的位置。因此，第2沟道区域被形成至源极侧端面为止。因此，稳定地形成沟道区域。

在上述方式的绝缘栅型场效应晶体管中，也可以构成为：上述导电部件由作为上述漏极侧端面的上述栅极绝缘膜侧的开口部和作为上述源极侧端面的上述栅极绝缘膜侧的开口部支承。

上述方式的绝缘栅型场效应晶体管也可以构成为：还具有树脂部；上述栅极绝缘膜具有膜分割部；上述膜分割部以上述导电部件为底面，并形成为对上述栅极绝缘膜的上述第1栅极电极部侧的部分和上述第2栅极电极部侧的部分进行分割的槽；上述树脂部由上述膜分割部的上述源极区域侧的端面及上述膜分割部的上述漏极区域侧的端面支承，并当上述导电部件达到上述规定温度以上时熔融；上述导电部件被熔融的上述树脂部切断。

上述方式的绝缘栅型场效应晶体管具有树脂部。树脂部当导电部件达到规定温度以上时熔融。当树脂部熔融时，导电部件所承担的树脂部的负载增大。因此，导电部件被树脂部切断。因此，当在绝缘栅型场效应晶体管产生异常时，能够隔断漏极端子和源极端子之间的导通。

在上述方式的绝缘栅型场效应晶体管中，也可以构成为：对于上述导电部件而言，上述漏极侧端面侧的端部与上述源极侧端面侧的端部之间的中间部的厚度比上述漏极侧端面侧的端部及上述源极侧端面侧的端部的厚度小。

对于上述导电部件而言，中间部的厚度比漏极侧端面侧的端部及源极侧端面侧的端部的厚度小。因此，与漏极侧端面侧的端部及源极侧端面侧的端部的厚度为中间部的厚度以下的情况相比，树脂部熔融时，导电部件的中间部容易被切断。

本发明的另一方式为上述绝缘栅型场效应晶体管的制造方法，该绝缘栅型场效应晶体管的制造方法具备：在上述半导体衬底的衬底材料形成凹部的工序；在上述凹部的内部直至比上述凹部的开口部更低的位置形成定位部的工序；在上述定位部的表面形成上述导电部件的工序；在上述衬底材料形成上述漏极区域及上述源极区域的工序；在上述漏极区域、上述源极区域以及上述导电部件的表面形成上述栅极绝缘膜、而形成上述半导体衬底的工序；从上述半导体衬底除去上述定位部的工序。