[发明专利]用于集成电路设计的间隔蚀刻工艺

权利要求书

1.一种形成用于集成电路的目标图案的方法，所述方法包括：

在衬底上形成第一材料层；

使用第一布局实施第一图案化工艺以在所述第一材料层中形成多个第一沟槽；

使用第二布局实施第二图案化工艺以在所述第一材料层中形成多个第二沟槽；

在所述多个第一沟槽和所述多个第二沟槽的侧壁上均形成间隔部件，所述间隔部件具有厚度；

去除所述第一材料层；

将所述间隔部件用作蚀刻掩模以蚀刻所述衬底；以及

去除所述间隔部件；

其中，所述目标图案形成为具有所述第一布局和所述第二布局。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，部分所述多个第一沟槽与部分所述多个第二沟槽合并。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成间隔部件的步骤产生用于所述目标图案的剪切部件，其中，部分沟槽的宽度小于所述间隔部件的厚度的两倍。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，使用第一布局实施第一图案化工艺的步骤包括：

在所述第一材料层上方形成第二材料层；

在所述第二材料层上方形成光刻胶层；

使用所述第一布局图案化所述光刻胶层从而产生光刻胶图案；以及

将所述光刻胶图案转印至所述第一材料层；

其中，第二材料不同于第一材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其中：

所述第一材料包括氮化硅；

所述第二材料层包括底层和中间层；

所述底层包括底部抗反射涂覆聚合物材料；以及

所述中间层包括含硅聚合物。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，将所述光刻胶图案转印至所述第一材料层的步骤包括：

将所述光刻胶图案用作蚀刻掩模以蚀刻所述第二材料层，从而暴露所述第一材料层；

去除所述光刻胶层；

将所述第二材料层用作蚀刻掩模以蚀刻所述第一材料层，从而暴露所述衬底；以及

去除所述第二材料层。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，使用第二布局实施第二图案化工艺的步骤包括：

在所述第一材料层上方形成第二材料层；

在所述第二材料层上方形成第三材料层；

在所述第三材料层上方形成光刻胶层；

使用所述第二布局图案化所述光刻胶层，从而产生光刻胶图案；以及

将所述光刻胶图案转印至所述第一材料层；

其中：

第二材料不同于第一材料；并且

第三材料不同于第二材料。

8.根据权利要求7所述的方法，其中：

所述第一材料包括氮化硅；

所述第二材料包括底部抗反射涂覆聚合物材料；以及

所述第三材料包括含硅聚合物。

9.一种在衬底上形成目标图案的方法，所述方法包括：

在所述衬底上形成第一材料层；

使用第一布局实施第一图案化工艺以在所述第一材料层中形成多个第一沟槽；

使用第二布局实施第二图案化工艺以在所述第一材料层中形成多个第二沟槽；

在所述多个第一沟槽和所述多个第二沟槽的侧壁上均形成间隔部件，所述间隔部件具有厚度；

去除所述第一材料层；

在所述衬底上及通过所述间隔部件限定的开口内形成第二材料层；以及

去除所述间隔部件；

其中，所述目标图案形成为具有所述第一布局和所述第二布局。

10.一种形成目标图案的方法，所述方法包括：

在衬底上沉积第一材料层；

使用第一布局实施第一光刻图案化工艺以在所述第一材料层中形成多个第一沟槽；

使用第二布局实施第二光刻图案化工艺以在所述第一材料层中形成多个第二沟槽；

使用包括沉积和蚀刻的工艺在所述多个第一沟槽和所述多个第二沟槽的侧壁上均形成间隔部件，所述间隔部件具有厚度；

通过蚀刻工艺去除所述第一材料层；

将所述间隔部件用作蚀刻掩模以蚀刻所述衬底；以及

使用蚀刻工艺或抛光工艺去除所述间隔部件；

其中：

所述目标图案形成为具有所述第一布局和所述第二布局；

所述第一布局包括所述目标图案的第一子集；

所述第二布局包括所述目标图案的第二子集和用于所述第一子集的剪切图案；以及

所述剪切图案对应于部分所述第二布局，其中，所述第二布局的宽度小于所述间隔部件的厚度的两倍。