[发明专利]自氢氟酸溶液生成氟铝酸钠晶体的结晶系统设备及其结晶操作控制方法

权利要求书

1.一种自氢氟酸溶液生成氟铝酸钠晶体的结晶系统设备，其特征是，包括：

一控制处理器；

一结晶反应槽，具有相对的一顶部槽口及一底部出口，该结晶反应槽内部设有一具多个液孔的分散盘，以及一位于该分散盘上且具多个通孔的控制盘，令该结晶反应槽内部为该分散盘及该控制盘隔设形成一上部投药空间及一下部反应空间，该投药空间设有一铝酸钠液位计，该反应空间经该出口与一排放控制段连通，供排出反应生成的结晶物及低浓度氢氟酸废液，该铝酸钠液位计与该排放控制段为该控制处理器电性控制做动；

一铝酸钠药剂槽，经一为该控制处理器电性控制的批次定量控制段输出铝酸钠药剂至该结晶反应槽的该投药空间内；

一高浓度氢氟酸废液槽，经一为该控制处理器电性控制的批次定量控制段输出高浓度氢氟酸废液至该结晶反应槽的该反应空间；以及；

一pH值/氟离子检测段，具有相连通的一pH计及一氟量计为该控制处理器电性控制做动，该pH计具有一第一流道与该结晶反应槽反应空间底部连通，该氟量计具有一与该反应空间顶部连通的第二流道。

2.如权利要求1所述自氢氟酸溶液生成氟铝酸钠晶体的结晶系统设备，其特征是：该铝酸钠药剂槽设有一液位计及一排放阀，该铝酸钠药剂槽的批次定量控制段具有一输送泵浦，以及二球阀分别设于该输送泵浦与该铝酸钠药剂槽及该结晶反应槽之间，该批次定量控制段邻近该结晶反应槽处设有一铝酸钠流量计，令该液位计、该输送泵浦、该二球阀、该铝酸钠流量计及该排放阀为该控制处理器电性控制做动。

3.如权利要求1所述自氢氟酸溶液生成氟铝酸钠晶体的结晶系统设备，其特征是：该高浓度氢氟酸废液槽设有一液位计及一排放阀，该高浓度氢氟酸废液槽的批次定量控制段具有一输送泵浦，以及二球阀分别设于该输送泵浦与该高浓度氢氟酸废液槽及该结晶反应槽之间，且该批次定量控制段邻近该结晶反应槽处设有一氢氟酸流量计，令该液位计、该输送泵浦、该二球阀、该氢氟酸流量计及该排放阀为该控制处理器电性控制做动。

4.如权利要求1所述的自氢氟酸溶液生成氟铝酸钠晶体的结晶系统设备，其特征是：该结晶反应槽反应空间设有一为该控制处理器电性控制做动的氢氟酸液位计，该结晶反应槽的排放控制段具有一流量控制阀及一球阀，且该流量控制阀与该结晶反应槽出口之间另设有一排放流道，该排放流道具有一球阀控制，令该排放控制段的流量控制阀及该球阀与该排放流道球阀为该控制处理器电性控制做动。

5.如权利要求1所述的自氢氟酸溶液生成氟铝酸钠晶体的结晶系统设备，其特征是：该pH值/氟离子检测段的第一流道具有一量测泵浦，该结晶反应槽与该量测泵浦之间设有一流量控制阀及一球阀，且该量测泵浦与该pH计之间设有一球阀及一清水输入段，该清水输入段具有一流量控制阀控制清水输入量，该第二流道系设有一回流控制阀，该氟量计另设有一第三流道设有一排流控制阀及一球阀供控制排放废液，令该pH值/氟离子检测段的该量测泵浦、该二流量控制阀、该三球阀及该排流控制阀为该控制处理器电性控制做动。

6.如权利要求5所述自氢氟酸溶液生成氟铝酸钠晶体的结晶系统设备，其特征是：该第二流道连通至结晶反应槽内部的末端开口设于结晶反应槽反应空间的上方槽壁至反应空间的上方槽中心处。

7.如权利要求1所述自氢氟酸溶液生成氟铝酸钠晶体的结晶系统设备，该排放控制段连接至一脱水机及一低浓度氢氟酸废液槽以分离结晶物及低浓度氢氟酸废液，其特征是：

该脱水机，为该控制处理器电性控制做动，该脱水机与该结晶反应槽的排放控制段连通；

该低浓度氢氟酸废液槽，为该控制处理器电性控制，供收集该脱水机排出的低浓度氢氟酸废液。

8.如权利要求7所述自氢氟酸溶液生成氟铝酸钠晶体的结晶系统设备，其特征是：该低浓度氢氟酸废液槽与该脱水机的间设有一球阀控制低浓度氢氟酸废液流量，且该低浓度氢氟酸废液槽设有一液位计、一排放阀及一低浓度氢氟酸废液输出段，该低浓度氢氟酸废液输出段具有一输送泵浦，以及二球阀分别设于该输送泵浦与该低浓度氢氟酸废液槽之间以及该输送泵浦排放端，令该液位计、该排放阀、该输送泵浦及该三球阀为该控制处理器电性控制做动。

9.如权利要求1所述自氢氟酸溶液生成氟铝酸钠晶体的结晶系统设备，其特征是：设于一防溢基座上，该防溢基座周侧设有一防溢体并具有为该控制处理器电性控制做动的一探漏器及一设于该防溢基座底部的排液阀。