[发明专利]负型感光性硅氧烷组合物

说明书

本发明提供一种负型感光性硅氧烷组合物，其具有高分辨率、高耐热性、高透明性，不需提高交联剂或硅氧烷化合物的分子量而抑制容易在热固化中发生的热塌陷，其具有高灵敏度和高残膜率的特性。一种负型感光性聚硅氧烷组合物，其特征在于，其包含：(I)聚硅氧烷、(II)通过照射放射线而释放出酸的芳香族酰亚胺化合物、以及(III)溶剂。

技术领域

本发明涉及负型感光性硅氧烷组合物。另外，本发明也涉及使用了其的固化膜的制造方法、由其形成的固化膜、以及具有该固化膜的元件。

背景技术

近年，在显示器、发光二极管、太阳能电池等光学元件方面，以提高光利用效率、节能为目的，提出了各种各样的提案。例如，在液晶显示器方面，已知有：在薄膜晶体管(以下，有时会称为TFT)元件上覆盖形成透明的平整化膜，并在该平整化膜上形成像素电极，从而提高显示装置的开口率的方法(参照专利文献1)。在有机电场发光元件(以下，有时会称为有机EL元件)方面，也提出了如下方法：将其结构从在形成于基板上的透明像素电极上蒸镀形成发光层并且从基板侧将发光射出的方式(底部发光)，改设为将源自在覆盖形成于TFT元件上的平整化膜上的透明像素电极以及其上的发光层的发光从TFT元件侧的相反侧射出的方式(顶部发光)，从而与液晶显示器同样地提高开口率(参照专利文献2)。

另外，伴随着对显示器高分辨化、大型化以及高画质化的需求的增加，另外伴随着3D显示等新技术的导入，在配线上的信号延迟正在成为问题。通过提高图像信息的改写速度(帧频率)，缩短信号向TFT输入的输入时间。然而，即使想要通过扩大配线宽度而降低配线电阻从而改善响应速度，也由于高分辨化等要求而导致在配线宽度的扩大方面存在限制。由此，提出了通过增大配线厚度而解决信号延迟的问题(参照非专利文献1)。

作为这样的TFT基板用平整化膜的材料之一，已知有以聚硅氧烷化合物和固化助剂为主的负型感光性材料。这样的聚硅氧烷化合物是通过在催化剂的存在下，将具有二官能的官能团的硅烷化合物例如二烷基二烷氧基硅烷进行聚合而得到的聚硅氧烷化合物。然而，在使用了这样的聚硅氧烷化合物的情况下，有时会在成膜工艺中引起脱气。此处生成的气体是在高温下生成的源自有机基团的分解物，大多对有机EL元件的发光效率、寿命造成不良影响，因而不能说是在使用方面的最优材料。另外，存在有所产生的分解物可提高介电常数的可能性，使得由绝缘膜导致的寄生电容变大，因而耗电变大，结果有时会引起液晶元件驱动信号的延迟等，而对画质的品质造成影响。即使是介电常数大的绝缘材料，例如可通过增大膜厚而减小容量，但是一般难以形成均匀的膜厚的膜，材料使用量也变多，因而不优选(参照专利文献3)。

关于含有通过将包含二官能至四官能的硅烷化合物(例如包含2～4个烷氧基的硅烷化合物)进行聚合而获得的无定形结构的聚硅氧烷化合物的负型感光性组合物，由于聚硅氧烷化合物的分子量分布宽度也大，因而缺乏成膜后的残膜率，膜的固化速度也缓慢地进行，因此有时会需要很多的曝光量。另外，为了维持焙烧后的图案形状而必需更多的酸产生剂，因此存在有透射率较大地减退的倾向(参照专利文献4)。

另外，以往使用的酸产生剂例如具有锍阳离子结构的离子性的酸产生剂，一般在高温下稳定，热分解温度多为350℃以上。由此，想要将包含这样的酸产生剂的组合物在比较低的温度固化时，即使是聚硅氧烷化合物的固化温度低，也存在有在酸产生剂的分解温度以下残留下未分解物的可能性。这样的残留物存在有造成耐光性减退等影响的危险性，因而期望着开发出可在更低温利用的酸产生剂。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第2933879号说明书

专利文献2：日本特开2006-236839号公报

专利文献3：日本特开2009-276777号公报

专利文献4：日本特开2006-18249号公报

专利文献5：日本再表2006-073021号公报