[发明专利]层叠晶片的加工方法和粘合片

说明书

本发明提供层叠晶片的加工方法和粘合片，在晶片上层叠多个芯片的层叠晶片中，在将芯片侧粘贴在粘合片上的状态下，也能够可靠地将晶片分割成各个层叠芯片。将在糊层（22）上与层叠晶片（1）的外周剩余区域（1B）对应地形成有突起部（3）的粘合片（2）的糊层（22）粘贴在层叠晶片（1）的芯片（15）上，将突起部（3）与外周剩余区域（1B）对应地粘贴在晶片（10）的表面（10a）上，通过突起部（3）支撑晶片（10）的外周剩余区域（1B）。在该状态下，形成沿着分割预定线（11）的对晶片（10）的分割起点（改质层10c），通过粘合片（2）的扩张对晶片（10）施加外力，由此，最外周部的层叠芯片（1c）也能够与其他的层叠芯片（1c）同样地进行分割。

技术领域

本发明涉及在晶片上配设多个芯片的层叠晶片的加工方法和适合在该加工方法中使用的粘合片。

背景技术

作为将多个半导体器件在1个封装内集成的方法之一，将多个半导体器件芯片在三维方向上层叠并进行安装的CoW(Chip on Wafer：晶片上的芯片)等的三维安装是已知的。CoW通过对在晶片上层叠了芯片的层叠晶片的晶片按照各个芯片进行分割，形成了在芯片上层叠了芯片的层叠芯片(参照专利文献1)。

另一方面，为了对这种晶片进行分割，通常进行使切削装置的切削刀切入晶片的基于机械加工的切割(参照专利文献2)。此外，近年来，开发出在通过激光束照射而在晶片内部形成改质层后，对晶片施加外力而以改质层为分割起点进行分割的方法(参照专利文献3)，在该方法中提出了对粘贴在晶片上的粘合片进行扩张以施加外力的技术(参照专利文献4)。

专利文献1：日本特开2012-209522号公报

专利文献2：日本特开2007-214201号公报

专利文献3：日本专利第3408805号公报

专利文献4：日本特开2010-034250号公报

然而，作为实现三维安装的晶片，在内部装入布线和电极等的中介层晶片(Interposer wafer)已被实用化。在将这样的中介层晶片上层叠了多个芯片得到的层叠晶片分割成各个芯片而得到的层叠芯片中，有时对形成于中介层晶片中的凸块等电极进行特性检查。因此，在分割成层叠芯片后，需要将中介层晶片侧作为上表面，通过粘合片支撑芯片侧，才能进行该检查。因此，如通常实施的那样，在晶片侧即中介层晶片侧粘贴粘合片并进行了分割的情况下，如果在晶片分割后，实施在芯片侧粘贴粘合片并使晶片侧的粘合片剥离这样的粘合片的转印工序，则能够实现对层叠芯片的中介层晶片的检查。然而，该转印工序耗费时间，会导致生产率下降。

因此，通过在层叠晶片的芯片侧粘贴粘合片，并在使中介层晶片侧露出的状态下分割中介层晶片，能够消除粘合片的转印的必要。但是，在层叠晶片中，由于在外周部未层叠芯片，因此，在中介层晶片侧，在芯片区域与外周部之间存在阶差，因此，在芯片侧粘贴了粘合片的情况下，会产生中介层晶片的外周部向粘合片侧挠曲的现象。

这样，当在中介层晶片的外周部产挠曲时，产生以下问题：在中介层晶片上形成上述分割起点并进行分割的情况下，由于挠曲量，无法适当地在芯片区域与外周部的边界部分形成该分割起点。例如在分割起点是激光束照射得到的改质层的情况下，聚光点发生偏离而无法形成改质层，此外，在分割起点是激光加工或切削加工得到的槽的情况下，槽的深度会不够。而且，即使形成了分割起点，在上述专利文献4所记载的基于粘合片的扩张的晶片的分割方法中，由于存在上述阶差，在中介层晶片的外周部无法充分粘贴粘合片，因此，在芯片区域与外周部的边界部分，扩张产生的外力难以传递到该边界部分，产生最外周部的层叠芯片无法进行分割的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于，提供层叠晶片的加工方法和粘合片，在晶片上层叠了多个芯片而得到的层叠晶片中，在将芯片侧粘贴在粘合片上的状态下，也能够可靠地将晶片分割为各个层叠芯片。