[发明专利]用于电过应力/电涌/IEC的钳位电路和装置无效
| 申请号： | 201410057964.X | 申请日： | 2014-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN104009458A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | T·康 | 申请（专利权）人： | 快捷半导体（苏州）有限公司;快捷半导体公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 武晨燕;徐川 |
| 地址： | 215021 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 应力 iec 电路 装置 | ||
1.一种保护电路免受瞬态电事件损坏的装置，所述装置包括：
被配置为在所述瞬态事件期间将所述电路端子连接到参考电位的保护晶体管；
以及串联连接在所述端子和所述保护晶体管的控制节点之间的一个或多个二极管，所述一个或多个二极管被配置为在所述端子的预定电压下触发所述保护晶体管；
其中所述装置不包括连接在所述保护晶体管的所述控制节点和所述参考电位之间的钳位二极管。
2.根据权利要求1所述的装置，包括连接到所述保护晶体管的控制栅的电阻器。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个或多个二极管中的一个设置在基板上；以及
其中所述一个二极管的阴极到基板的击穿电压大于所述预定电压。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述保护晶体管包括NMOS晶体管。
5.根据权利要求4所述的装置，其中所述NMOS晶体管的漏极端子直接连接到所述端子。
6.根据权利要求4所述的装置，其中所述NMOS晶体管设置在基板上；以及
其中所述NMOS晶体管的漏极到基板的击穿电压大于所述预定电压。
7.一种保护电路，包括：
并联连接在第一端子和第二端子之间的多个保护子电路，所述第二端子被配置为连接到参考电压；以及
其中每个保护子电路包括：
被配置为在所述瞬态事件期间将所述电路端子连接到参考电位的保护晶体管；
串联连接在所述端子和所述保护晶体管的控制节点之间的一个或多个二极管，所述一个或多个二极管被配置为在所述端子的预定电压下触发所述保护晶体管；以及
其中每个保护子电路不包括连接在所述保护晶体管的所述控制节点和所述第二端子之间的钳位二极管。
8.根据权利要求7所述的保护电路，其中每个保护晶体管包括被配置为提供镇流电阻的硅化物排除漏极。
9.根据权利要求7所述的保护电路，包括连接到每个保护晶体管的每个控制栅的电阻器。
10.根据权利要求7所述的保护电路，其中每个保护子电路的所述一个或多个二极管中的一个二极管设置在基板上；以及
其中所述一个二极管的阴极到基板的击穿电压大于所述预定电压。
11.根据权利要求7所述的保护电路，其中每个保护晶体管包括NMOS晶体管。
12.根据权利要求11所述的保护电路，其中所述NMOS晶体管中每一个的漏极端子直接连接到所述第一端子。
13.根据权利要求7所述的保护电路，其中每个NMOS晶体管设置在基板上；以及
其中每个NMOS晶体管的漏极到基板的击穿电压大于所述预定电压。
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