[发明专利]研磨衬底的方法和使用该方法制造半导体发光器件的方法

权利要求书

1.一种研磨衬底的方法，所述方法包括步骤：

制备包括第一主表面和第二主表面的衬底，其中所述第一主表面上具有半导体层，所述第二主表面与所述第一主表面彼此相对；

使用胶合物将支撑膜贴合至所述第一主表面；

通过将能量施加至所述胶合物来固化所述胶合物；

研磨所述衬底的第二主表面，以减小所述衬底的厚度；以及

通过在非横向方向上将力施加至所述支撑膜来从所述第一主表面去除所述支撑膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中贴合所述支撑膜的步骤包括：

将所述胶合物涂布至所述衬底的第一主表面；

将所述支撑膜布置在涂布了所述胶合物的所述第一主表面上；以及

通过固化所述胶合物来将所述支撑膜固定至所述衬底的第一主表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其中通过固化后的胶合物所实现的所述支撑膜和所述半导体层之间的横向模式结合强度为0.5Gpa或以上。

4.根据权利要求1所述的方法，其中固化后的胶合物和所述半导体层之间的纵向模式结合强度低于所述支撑膜和固化后的胶合物之间的纵向模式结合强度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述支撑膜具有200μm至700μm的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述支撑膜包括基膜和布置于所述基膜的表面上的结合增强层，所述结合增强层和固化后的胶合物之间的结合强度大于所述基膜和固化后的胶合物之间的结合强度。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述基膜包括聚碳酸酯（PC）或聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述结合增强层包括丙烯酸树脂和硅树脂之中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述胶合物是热固化胶合物或紫外线固化胶合物。

10.根据权利要求1所述的方法，其中从所述第一主表面去除所述支撑膜的步骤包括：

将胶带贴合至所述支撑膜；以及

通过沿着非横向方向提起所述胶带来将所述支撑膜连同所述胶合物一起从所述第一主表面分离。

11.根据权利要求10所述的方法，其中通过沿着垂直方向提起所述胶带来执行从所述第一主表面分离所述支撑膜的步骤。

12.一种制造半导体发光器件的方法，所述方法包括步骤：

制备包括第一主表面和第二主表面的晶片，其中所述第一主表面上布置有用于半导体发光器件的外延层，所述第二主表面与所述第一主表面彼此相对；

使用胶合物将支撑膜贴合至所述第一主表面；

通过将能量施加至所述胶合物来固化所述胶合物；

研磨所述晶片的第二主表面，以减小所述晶片的厚度；

通过在非横向方向上将力施加至所述支撑膜来从所述第一主表面去除所述支撑膜；以及

将所述晶片切割成多个独立的发光器件。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述晶片是蓝宝石衬底。

14.根据权利要求12所述的方法，还包括步骤：在研磨所述第二主表面的步骤和去除所述支撑膜的步骤之间，将光学元件布置于所述第二主表面。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述光学元件包括光学透镜或荧光膜。

16.一种制造发光器件的方法，所述方法包括步骤：

制备包括衬底的晶片，所述衬底包括第一主表面和第二主表面，其中所述第一主表面上布置有半导体层，所述第二主表面与所述第一主表面彼此相对；

使用胶合物将支撑膜贴合至所述第一主表面；

研磨所述晶片的第二主表面，以减小所述晶片的厚度；

通过在非横向方向上将力施加至所述支撑膜来从所述第一主表面去除所述支撑膜；以及

将所述晶片切割成多个发光器件。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述半导体层包括用于半导体发光器件的外延层。

18.根据权利要求16所述的方法，其中所述支撑膜和所述半导体层之间的横向模式结合强度为0.5Gpa或以上。