[发明专利]研磨衬底的方法和使用该方法制造半导体发光器件的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年2月20日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2013-0018307的优先权，其全部公开通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及一种研磨衬底的方法，特别地，涉及一种对其上形成有半导体层的衬底进行研磨的方法并且涉及一种使用所述研磨方法制造半导体发光器件的方法。

背景技术

在半导体器件制造中，已经采用了减少衬底厚度（即，晶片厚度）的处理。

具体而言，在诸如半导体发光二极管（LED）或功率半导体器件之类的半导体器件的制造过程中，已采用了研磨衬底的工艺，以便在衬底上形成半导体层之后便于切割该衬底（或晶片），或者实现半导体器件的纤薄特征。特别地，使用常规方法，这个研磨过程一直被限制应用于具有高等级硬度的衬底。

此外，在衬底的研磨过程之中或之后，具有减小厚度的衬底的强度会迅速下降，所述衬底会很容易损坏或断裂。另外，会需要额外的清洗处理，从而导致制造过程的处理效率较低。

发明内容

本文描述的本发明构思提供了一种研磨衬底的方法或一种制造半导体发光器件的方法，其中可以获得较高的处理效率。本发明构思的一个示例性实施例提供了一种研磨衬底的方法，其能够在无需不必要处理的情况下容易地去除支撑结构，同时在用于减小其上形成有半导体层的衬底的厚度的研磨处理中确保足够的可加工性。本发明构思的另一个示例性实施例提供了一种采用上述方法来制造半导体发光器件的方法。

根据本文提供的本发明构思的一个示例性实施例，一种研磨衬底的方法提供如下。制备包括第一主表面和第二主表面的衬底，其中所述第一主表面上具有半导体层，所述第二主表面与所述第一主表面彼此相对。使用胶合物将支撑膜贴合至所述第一主表面。通过将能量施加至所述胶合物来固化所述胶合物。研磨所述衬底的第二主表面，以减小所述衬底的厚度，并且通过在非横向方向上将力施加至所述支撑膜来从所述第一主表面去除所述支撑膜。

所述支撑膜的贴合步骤可以包括：将所述胶合物涂布至所述衬底的第一主表面；将所述支撑膜布置在涂布了所述胶合物的所述第一主表面上；以及通过固化所述胶合物来将所述支撑膜固定至所述衬底的第一主表面。

通过固化后的胶合物所实现的所述支撑膜和所述半导体层之间的横向模式结合强度可以达到约0.5Gpa或以上。

固化后的胶合物和所述半导体层之间的纵向模式结合强度可以低于所述支撑膜和固化后的胶合物之间的纵向模式结合强度。

所述支撑膜可以具有约200μm至700μm的厚度。

所述支撑膜可以包括基膜和布置于所述基膜的表面上的结合增强层，所述结合增强层和固化后的胶合物之间的结合强度大于所述基膜和固化后的胶合物之间的结合强度。

所述基膜可以包括聚碳酸酯（PC）或聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）。

所述结合增强层可以包括丙烯酸树脂和硅树脂之中的至少一种。

所述胶合物可以是热固化胶合物或紫外线固化胶合物。

从所述第一主表面去除所述支撑膜的步骤可以包括：将胶带贴合至所述支撑膜；以及通过沿着非横向方向提起所述胶带来将所述支撑膜连同所述胶合物一起从所述第一主表面分离。

可以通过沿着几乎垂直的方向提起所述胶带来执行从所述第一主表面分离所述支撑膜的步骤。

本发明构思的另一个示例性实施例提供了一种制造半导体发光器件的方法。制备包括第一主表面和第二主表面的晶片，其中所述第一主表面上布置有用于半导体发光器件的外延层，所述第二主表面与所述第一主表面彼此相对。使用胶合物将支撑膜贴合至所述第一主表面。通过将能量施加至所述胶合物来固化所述胶合物。研磨所述晶片的第二主表面被研磨，以减小所述晶片的厚度。通过在非横向方向上将力施加至所述支撑膜来从所述第一主表面去除所述支撑膜，并且将所述晶片切割成多个独立的发光器件。

所述晶片可以是蓝宝石衬底。

制造所述半导体发光器件的示例性方法还包括步骤：在研磨所述第二主表面的步骤和去除所述支撑膜的步骤之间，将光学元件布置于所述第二主表面。

所述光学元件可以包括光学透镜或荧光膜。