[发明专利]具有间隙的底部填充图案

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

第一封装件，包含第一管芯；

衬底；

第一外部电连接件，将所述第一封装件机械连接和电连接至所述衬底，所述第一外部电连接件位于所述第一封装件和所述衬底之间；以及

底部填充材料，环绕所述第一封装件的第一外围区域并且位于所述第一外围区域和所述衬底之间，所述第一封装件的第一中心区域和所述衬底之间存在第一间隙，并且自顶向下看，所述第一间隙不包含所述底部填充材料，所述第一间隙内也不包含位于所述封装件的底面上以及位于所述衬底的顶面上的任何导电部件，所述第一间隙与所述底部填充材料邻接，

其中，所述第一中心区域是所述第一封装件中除去所述第一外围区域且不包含所述底部填充材料的区域。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一间隙是气隙。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述底部填充材料密封所述第一间隙。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述底部填充材料至少环绕所述第一封装件的第一外围区域上的外部的所述第一外部电连接件。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述底部填充材料填充所述第一封装件和所述衬底之间的大于或等于10％且不超过70％的体积。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述底部填充材料填充所述第一封装件和所述衬底之间的大于或等于20％且不超过50％的体积。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述底部填充材料填充所述第一封装件和所述衬底之间的大于或等于20％且不超过40％的体积。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一封装件包括：

密封剂，至少横向地密封所述第一管芯；以及

重分布结构，位于所述第一管芯的有源侧和所述密封剂上，所述重分布结构包括介电层和位于所述介电层上的导电图案，所述导电图案将所述第一管芯电连接至所述外部电连接件。

9.一种半导体结构，包括：

封装件，包括：

管芯，具有有源侧，

密封剂，至少横向地密封所述管芯，和

重分布结构，位于所述管芯的有源侧和所述密封剂上，

衬底；

外部电连接件，设置在所述封装件和所述衬底之间，所述外部电连接件将所述衬底机械连接并电连接至所述封装件，所述电连接件通过所述重分布结构电连接至所述管芯的有源侧；以及

底部填充材料，环绕所述封装件的外边缘并且设置在所述封装件的外边缘和所述衬底之间，所述封装件的中心区域和所述衬底之间存在气隙，所述底部填充材料围绕且邻接所述气隙，其中，自顶向下看，所述气隙内不含有位于所述封装件的底面上以及位于所述衬底的顶面上的任何导电部件，

其中，所述中心区域是所述封装件中除去所述外边缘且不包含所述底部填充材料的区域。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述底部填充材料至少环绕外部的所述外部电连接件。

11.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述底部填充材料连续地围绕所述气隙。

12.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述底部填充材料填充所述封装件和所述衬底之间的间隔的10％至70％。

13.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述底部填充材料填充所述封装件和所述衬底之间的间隔的20％至50％。

14.根据权利要求9所述的半导体结构，其中，所述底部填充材料填充所述封装件和所述衬底之间的间隔的20％至40％。