[发明专利]具有间隙的底部填充图案有效
申请号: | 201410058251.5 | 申请日: | 2014-02-20 |
公开(公告)号: | CN104716103B | 公开(公告)日: | 2018-06-19 |
发明(设计)人: | 许峰诚;黄厚儒;卢思维;林俊成 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L21/56 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装件 衬底 底部填充材料 外部电连接件 底部填充 外围区域 图案 机械连接 密封间隙 中心区域 电连接 管芯 气隙 填充 | ||
本发明的实施例是一种结构,该结构包括封装件、衬底和将封装件机械连接并电连接至衬底的外部电连接件。封装件包含管芯。外部电连接件位于封装件和衬底之间。底部填充材料围绕封装件的外围区域并且位于外围区域和衬底之间。间隙位于封装件的中心区域和衬底之间,并且间隙不包含底部填充材料。底部填充材料可以密封间隙。间隙可以是气隙。在一些实施例中,底部填充材料可以填充封装件与衬底之间的大于或等于10%且不超过70%的体积。本发明还提供了涉及具有间隙的底部填充图案。
技术领域
本发明总体涉及半导体工艺,具体的,涉及具有间隙的底部填充图案。
背景技术
半导体器件用于各种电子应用中,诸如个人电脑、手机、数码相机和其他电子设备。通常,通过在半导体衬底上方依次沉积绝缘层或介电层、导电层和半导电层的材料,然后使用光刻图案化各个材料层以在其上形成电路部件和元件,从而制造半导体器件。通常,在单个半导体晶圆上制造数十或数百个集成电路。通过沿划线锯切集成电路来分割单个管芯。然后,例如以多芯片模块或以其他类型的封装来单独封装单个管芯。
半导体工业已经开发了许多可以封装管芯的方式。近年来,经常使用焊球或凸块将管芯和/或包含管芯的封装件附接至一些其他衬底、封装件、管芯或中介层。在许多这些应用中,底部填充材料用于填充管芯/封装件与其他部件之间的间隔。通过填充间隔,从而认为底部填充物通过为焊球或凸块提供额外的接合和支撑而为接合提供了更好的机械完整性。
发明内容
为了解决现有技术中存在的问题,根据本发明的一个方面,提供了一种结构,包括:第一封装件,包含第一管芯;衬底;第一外部电连接件,将所述第一封装件机械连接和电连接至所述衬底,所述第一外部电连接件位于所述第一封装件和所述衬底之间;以及底部填充材料,环绕所述第一封装件的第一外围区域并且位于所述第一外围区域和所述衬底之间,所述第一封装件的第一中心区域和所述衬底之间存在第一间隙,并且所述第一间隙不包含所述底部填充材料。
在上述结构中,其中,所述第一间隙是气隙。
在上述结构中,其中,所述底部填充材料密封所述第一间隙。
在上述结构中,其中,所述底部填充材料至少环绕所述第一封装件的第一外围区域上的外部的所述第一外部电连接件。
在上述结构中,其中,所述底部填充材料填充所述第一封装件和所述衬底之间的大于或等于10%且不超过70%的体积。
在上述结构中,其中,所述底部填充材料填充所述第一封装件和所述衬底之间的大于或等于20%且不超过50%的体积。
在上述结构中,其中,所述底部填充材料填充所述第一封装件和所述衬底之间的大于或等于20%且不超过40%的体积。
在上述结构中,其中,所述第一封装件包括:密封剂,至少横向地密封所述第一管芯;以及重分布结构,位于所述第一管芯的有源侧和所述密封剂上,所述重分布结构包括介电层和位于所述介电层上的导电图案,所述导电图案将所述第一管芯电连接至所述外部电连接件。
根据本发明的另一个方面,提供了一种结构,包括:封装件,包括:管芯,具有有源侧,密封剂,至少横向地密封所述管芯,和重分布结构,位于所述管芯的有源侧和所述密封剂上,衬底;外部电连接件,设置在所述封装件和所述衬底之间,所述外部电连接件将所述衬底机械连接并电连接至所述封装件,所述电连接件通过所述重分布结构电连接至所述管芯的有源侧;以及底部填充材料,环绕所述封装件的外边缘并且设置在所述封装件的外边缘和所述衬底之间,所述封装件和所述衬底之间存在气隙,所述底部填充材料围绕所述气隙。
根据上述结构中,其中,所述底部填充材料至少环绕外部的所述外部电连接件。
根据上述结构中,其中,所述底部填充材料连续地围绕所述气隙。
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