[发明专利]一种强光LED光源模块及其生产工艺有效

专利信息
申请号: 201410059021.0 申请日: 2014-02-21
公开(公告)号: CN103872207A 公开(公告)日: 2014-06-18
发明(设计)人: 郑香奕 申请(专利权)人: 东莞美盛电器制品有限公司
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44;H01L33/48;H01L33/54;H01L33/56
代理公司: 东莞市中正知识产权事务所 44231 代理人: 刘林
地址: 523000*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 强光 led 光源 模块 及其 生产工艺
【权利要求书】:

1.一种强光LED光源模块的生产工艺,其特征在于:其包括以下步骤:

a.制备整体LED晶片,在LED晶片中的一个大尺寸非电极所在表面镀上一层高折射率薄膜;

b.将镀好高折射率薄膜的LED晶片按需分割呈LED晶片单体;

c.将LED晶片单体固晶于基片表面,已镀高折射率薄膜的一面与基片接触,并焊线连接LED晶片单体;

d.在LED晶片单体的剩余五个表面也镀上一层高折射率薄膜;

e.按需组装或封装成完整的LED光源模块。

2.根据权利要求1所述的强光LED光源模块的生产工艺,其特征在于:所述的高折射率薄膜的厚度为0.1μm-1.0μm。

3.根据权利要求1或2所述的强光LED光源模块的生产工艺,其特征在于:所述的高折射率薄膜为TiO2或荧光物质薄膜,或者采用其他高折射率材料形成。

4.一种强光LED光源模块,包括基板、若干LED晶片单体、电极片、连接LED晶片单体和电极片的金属线以及封装料体,其特征在于:于所述LED晶片单体的六个表面均镀有一层高折射率薄膜,所述金属线穿过高折射率薄膜与LED晶片单体的电极连接。

5.根据权利要求5所述的强光LED光源模块,其特征在于:所述的高折射率薄膜的厚度为0.1μm-1.0μm。

6.根据权利要求5或6所述的强光LED光源模块,其特征在于:所述的高折射率薄膜为TiO2或荧光物质薄膜,或者采用其他高折射率材料形成。

7.根据权利要求5所述的强光LED光源模块,其特征在于:所述基板由与封装料体材质相同的透光材料成型。

8.根据权利要求5所述的强光LED光源模块,其特征在于:于所述LED光源模块的封装料体表面还成型有若干圆锥状凸点。

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