[发明专利]一种正面点接触结构的太阳电池及新型正面电极在审
申请号: | 201410059344.X | 申请日: | 2014-02-21 |
公开(公告)号: | CN103811566A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 张鹤仙;韩涵 | 申请(专利权)人: | 陕西众森电能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 西安亿诺专利代理有限公司 61220 | 代理人: | 熊雁 |
地址: | 710000 陕西省西安市未央*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 正面 点接触 结构 太阳电池 新型 电极 | ||
1.一种正面点接触结构的新型太阳电池正面电极(4),由至少一条主栅(3)和若干条细栅相互垂直而成,其特征在于:每条细栅均由若干个点状的接触电极(1)和一条传输电极(2)组成,传输电极(2)为金属导线,它穿过每个接触电极(2)并与之相连。
2.如权利要求1一种正面点接触结构的新型太阳电池正面电极(4),其特征在于:所述每个接触电极(1)的面积为0.0025平方毫米到0.03平方毫米。
3. 如权利要求1一种正面点接触结构的新型太阳电池正面电极(4),其特征在于:所述金属导线的直径为20-100微米。
4. 一种正面点接触结构的太阳电池,其特征在于:其正面电极(4)为权利要求1或2或3所述的一种正面点接触结构的新型太阳电池正面电极(4)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的