[发明专利]一种正面点接触结构的太阳电池及新型正面电极在审
申请号: | 201410059344.X | 申请日: | 2014-02-21 |
公开(公告)号: | CN103811566A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 张鹤仙;韩涵 | 申请(专利权)人: | 陕西众森电能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/068 |
代理公司: | 西安亿诺专利代理有限公司 61220 | 代理人: | 熊雁 |
地址: | 710000 陕西省西安市未央*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 正面 点接触 结构 太阳电池 新型 电极 | ||
技术领域
本发明涉及太阳电池生产领域,具体涉及一种新结构的太阳电池及一种新型太阳电池正面电极。
背景技术
传统的晶体硅太阳电池的正面电极由若干条主栅和若干条细栅相互垂直构成,这种正面电极的细栅为准矩形结构 ,一方面影响太阳电池的有效光照面积,且金属半导体接触区域较大,制约太阳电池的转换效率,另一方面银浆使用量较大,制约太阳电池的制造成本。
发明内容
本发明提供一种正面点接触结构的太阳电池及新型正面电极,其新型正面电极的细栅结构由若干个点状的接触电极和一条传输电极组成,一方面可以提高太阳电池的转换效率,另一方面也可以降低太阳电池的制造成本。
一种正面点接触结构的新型太阳电池正面电极,由至少一条主栅和若干条细栅相互垂直而成,每条细栅均由若干个点状的接触电极和一条传输电极组成,传输电极为金属导线,它穿过每个接触电极并与之相连。
优选地,接触电极的制备方法为:首先用利用印刷工艺将金属导电浆料按照一定的外形尺寸与排布方式印刷在太阳电池表面,然后通过高温烧结工艺使金属导电浆料与太阳电池表面形成合金,形成良好接触,从而形成接触电极。
更优选地,所述每个接触电极的面积在0.0025平方毫米到0.03平方毫米。
或者优选地,传输电极的制作方法为:将作为传输电极的金属导线通过低温导电浆料与接触电极连接,在经过<300℃的热处理后,传输电极与接触电极形成良好接触。
或者更优选地,金属导线的直径为20-100微米。
一种正面点接触结构的太阳电池,其正面电极为上述的一种正面点接触结构的新型太阳电池正面电极。
本发明一种正面点接触结构的太阳电池及新型正面电极,其细栅均由若干个点状的接触电极和一条传输电极组成,其中,接触电极为点状,与电池表面只是在局部形成接触,一方面减少金属导电浆料的使用量,节约太阳电池的制造成本,另一方面导致金属-半导体接触界面态的复合中心减少,从而提高电池的转换效率。传输电极为金属导线,由于金属导线的线径可达到20微米且横截面为圆形,照射在太阳电池上的太阳光约有30%可通过导线的二次反射回到电池表面,具有更好的内反射效果,实现更小的遮光损失,从而提高太阳电池的转换效率。
附图说明
图1为本发明所述新型正面电极的结构示意图。
图2为太阳电池新型正面电极细栅结构的结构示意图。
图3为缩小接触电极的体积后正面电极细栅结构的结构示意图。
图4为太阳电池的结构示意图。
其中1-接触电极,2中-传输电极,3-主栅,4-太阳电池正面电极,5-p型衬底,6-n型层,7-钝化减反射层,8-背电极。
具体实施方式
实施例一:
一种正面点接触结构的新型太阳电池正面电极4,由至少一条主栅3和若干条细栅相互垂直而成,每条细栅均由若干个点状的接触电极1和一条传输电极2组成,其中接触电极1的制备方法为:首先利用印刷工艺将金属导电浆料按照一定的外形尺寸与排布方式印刷在太阳电池表面,然后通过高温烧结工艺使金属导电浆料与太阳电池表面形成合金,形成良好接触,从而形成接触电极1,且每个接触电极1的面积在0.0025平方毫米到0.03平方毫米之间。在本实施例中,所用金属导电浆料为正面导电银浆。传输导线2为线径为20-100微米的金属导线,金属导线通过低温导电浆料与接触电极1连接,在经过<300℃的热处理后,与接触电极1形成良好接触,实现将接触电极1收集的光生电流汇集和导出,本实施例中所述低温导电浆料为锡浆。本实施例中所述印刷方法可采用丝网印刷或喷墨印刷或蒸发溅射等技术。
实施例二:
一种正面点接触结构的新型太阳电池正面电极4,由至少一条主栅3和若干条细栅相互垂直而成,每条细栅均由若干个点状的接触电极1和一条传输电极2组成,改变接触电极1的大小,为了确保太阳电池正面电极4对于太阳光的收集能力,需相应改变接触电极1的数目,如图3所示,缩小接触电极的体积,则需要增加接触电极的数目。
实施例三:
一种正面点接触结构的太阳电池,包括p型衬底5,p型衬底上经扩散形成一个n型层6,n型层6上淀积一层钝化减反射层7,钝化减反射层7上为上述实施例一中所述的一种正面点接触结构的太阳电池的新型正面电极4,p型衬底底部为背电极8。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的