[发明专利]在存储器MUX1布局中具有多层引脚的器件

权利要求书

1.一种集成电路IC存储器件，包括：

第一导电层；

第二导电层，与所述第一导电层间隔开，所述第二导电层形成在所述第一导电层上方；

至少一个双曝光和双蚀刻2P2E引脚框，形成在所述第一导电层中并且电连接至所述第一导电层；以及

至少一个单次曝光和单次蚀刻1P1E引脚框，形成在所述第二导电层中并且电连接至所述第二导电层，所述至少一个2P2E引脚框与所述至少一个1P1E引脚框沿I/O块的边缘延伸的方向不完全重叠地布置。

2.根据权利要求1所述的IC存储器件，其中，所述至少一个2P2E引脚框电连接至介于所述第一导电层和所述第二导电层之间的金属层。

3.根据权利要求1所述的IC存储器件，其中，所述至少一个1P1E引脚框电连接至所述第二导电层之上的金属层。

4.根据权利要求1所述的IC存储器件，其中，所述至少一个2P2E引脚框电连接至输入/输出(I/O)引脚。

5.根据权利要求1所述的IC存储器件，其中，所述至少一个1P1E引脚框电连接至输入/输出(I/O)引脚。

6.根据权利要求1所述的IC存储器件，其中，所述至少一个2P2E引脚框电连接至第一存储器单元，并且所述至少一个1P1E引脚框电连接至第二存储器单元。

7.根据权利要求6所述的IC存储器件，其中，所述IC存储器件是SRAM。

8.根据权利要求6所述的IC存储器件，其中，所述IC存储器件包括SRAM MUX1存储器单元。

9.一种集成电路IC存储器件，包括：

第一导电层；

第二导电层，电连接至所述第一导电层，所述第二导电层形成在所述第一导电层上方；

第三导电层，与所述第二导电层间隔开，所述第三导电层形成在所述第二导电层上方；

第四导电层，与所述第三导电层间隔开，所述第四导电层形成在所述第三导电层上方；

双曝光和双蚀刻2P2E引脚框，形成在所述第一导电层或所述第二导电层中，并且电连接至所述第一导电层或所述第二导电层；以及

单次曝光和单次蚀刻1P1E引脚框，形成在所述第三导电层或所述第四导电层中，并且电连接至所述第三导电层或所述第四导电层，其中，所述1P1E引脚框沿I/O块的边缘延伸的距离比所述2P2E引脚框沿I/O块的边缘延伸的距离更大，其中，所述2P2E引脚框与所述1P1E引脚框沿I/O块的边缘延伸的方向不完全重叠地布置。

10.根据权利要求9所述的IC存储器件，其中，所述第一导电层是第一金属层，并且所述第二导电层是第二金属层，所述第二金属层通过至少一个金属通孔电连接至所述第一金属层。

11.根据权利要求9所述的IC存储器件，其中，所述第三导电层是第三金属层，并且所述第四导电层是第四金属层，所述第四金属层通过至少一个金属通孔电连接至所述第三金属层。

12.根据权利要求9所述的IC存储器件，其中，所述2P2E引脚框电连接至输入/输出(I/O)引脚。

13.根据权利要求9所述的IC存储器件，其中，所述1P1E引脚框电连接至输入/输出(I/O)引脚。

14.根据权利要求9所述的IC存储器件，其中，所述2P2E引脚框电连接至第一存储器单元，并且所述1P1E引脚框电连接至第二存储器单元。

15.根据权利要求14所述的IC存储器件，其中，所述IC存储器件是SRAM。

16.根据权利要求14所述的IC存储器件，其中，所述IC存储器件包括SRAM MUX1存储器单元。